ASML TWINSCAN XT:1250i는 193nm ArF 침수 리소그래피를 65nm 이하 패터닝을 위한 초기 공정 개발 단계로 끌어올렸습니다. 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 도입함으로써, 이 시스템은 건식 ArF 노광의 한계를 뛰어넘어 유효 개구수를 증가시켜 더욱 미세한 패턴 이미징을 가능하게 했습니다.
이중 단계 아키텍처는 웨이퍼 노광과 정렬 및 측정 작업을 분리하여 한 단계에서 측정을 진행하는 동안 다른 단계에서 노광을 처리할 수 있도록 합니다. 이러한 병렬 워크플로는 반복적인 웨이퍼 처리 과정에서 초점 및 오버레이를 제어하면서 스캐너 생산성을 유지하는 데 도움이 됩니다.
XT:1250i는 로직 및 메모리 애플리케이션용 초기 침수 리소그래피 평가에 중요한 역할을 했습니다. 실제 이미징 성능은 광학 구성, 조명 설정, 레지스트 스택 및 공정 조건에 따라 달라집니다.
