Besi Esec 2100 hS 고속 에폭시 다이 본더는 웨이퍼에서 다이를 집어 리드 프레임이나 기판에 에폭시를 도포하고, 표준 모드에서 20µm @ 3σ, 고정밀 모드에서 15µm @ 3σ의 정밀도로 칩을 배치합니다. Y축에 장착된 옵션 액체 냉각 시스템을 통해 최대 시간당 18,500개의 다이를 생산할 수 있으며, 최소 사이클 시간은 120ms입니다. 2100 GENS 시리즈의 첫 번째 모델인 이 플랫폼은 가볍지만 견고한 픽앤플레이스 구조와 고급 궤적 제어 기술을 결합하여 고속 작동 중에도 사이클 시간을 단축하고 정밀도를 유지합니다. 2100 플랫폼에 공통적으로 적용된 동기식 회전 및 선형 모션 시스템인 Phi-Y 아키텍처는 공정 조건이 잘 정의된 주류 반도체 패키지의 장기간 생산에도 처리량과 수율을 안정적으로 유지합니다.
2100 hS는 0.25mm(스몰 다이 키트 사용 시)부터 20mm까지의 다이 크기를 지원하며, 8인치 또는 12인치 웨이퍼 프레임에서 4인치부터 12인치까지의 웨이퍼를 사용할 수 있습니다. 리드프레임 크기는 길이 90mm에서 300mm, 너비 23mm에서 100mm까지입니다. 본딩력은 0.2N에서 20N까지 프로그래밍 가능합니다. 일반적인 적용 분야로는 QFN, TSOP, QFP, BGA, CSP-BGA, SiP-BGA, FBGA 및 LGA와 같은 주류 패키지 제품군이 있으며, 이러한 제품군은 공정이 안정적이고 정밀한 배치보다 생산 연속성이 더 중요합니다.
2100 hS는 2100 제품군의 이전 세대 플랫폼입니다. Besi는 이후 동일한 고속 에폭시 다이 접착 분야를 대상으로 하되, 더욱 정밀한 정밀도(정밀 모드에서 최대 12µm, 상향 시야 모드에서 최대 10µm)와 더 좁은 다이 크기 범위(0.15~8mm)를 제공하는 2100 hS ix를 출시했습니다. hS 자체는 최대 20mm의 다이 크기를 지원하므로 iX 세대의 더욱 정밀한 배치가 필요하지 않은 애플리케이션에 적합합니다.
2100 hS는 성숙한 플랫폼이므로 일반적으로 공통 부품 및 서비스 채널을 이용할 수 있습니다. 다만, 플랫폼의 연식을 고려하여 일부 특수 부품은 재정비 또는 대체 조달이 필요할 수 있습니다. 아래 섹션에서는 먼저 플랫폼의 기술적 기능을 설명하고, 이어서 중고 장비의 구성 및 구매 고려 사항을 다룹니다.
주요 사양
| 매개변수 | 사양 |
|---|---|
| 장비 유형 | 고속 에폭시 다이 본더 |
| 결합 방식 | 에폭시 |
| 사이클 타임 | 120ms (액체 냉각 옵션 포함) |
| 생산력 | 시간당 최대 18,500대 |
| 배치 정확도 | 표준 오차 20 µm @ 3σ; 고정밀 모드에서 15 µm @ 3σ |
| 다이 사이즈 범위 | 0.25mm (소형 다이 키트 포함) – 20mm |
| 웨이퍼 크기 | 4인치 ~ 12인치 (8인치 또는 12인치 웨이퍼 프레임 기준) |
| 리드프레임 치수 | 길이 90~300mm, 너비 23~100mm |
| 본드 포스 | 0.2 – 20 N |
| 설치 공간 (가로 × 세로 × 높이) | 1,785 × 1,448 × 1,400 mm |
| 무게 | 약 1,400kg |
| 전원 공급 장치 | 208~230VAC, 47~63Hz |
| 정격 출력 | 800~1,100 VA |
| 압축 공기 | 최소 5.2바 |
| 비어 있는 | 최저 -0.75 바 |
| 질소 블로우 | 1.8 – 6 바 |
2100 hS는 QFN, TSOP, QFP, BGA, CSP-BGA, SiP-BGA, FBGA, LGA 등 주류 패키지 제품군에 적합한 고처리량 에폭시 다이 본더입니다. 공정 조건이 확립되어 있고 지속적인 처리량과 수율이 중요한 생산 환경에 최적화되어 있습니다. 표준 정확도 20µm, 3σ에서 시간당 최대 18,500개의 유닛을 생산할 수 있으며, 고정밀 모드에서는 15µm까지 가능합니다. 이 플랫폼은 2100 hS ix보다 이전 세대 모델이며, 이는 구매자에게 중요한 고려 사항입니다. hS는 최대 20mm의 다이 크기를 지원하여 iX 세대보다 다이 크기 범위는 넓지만, 더 정밀한 정확도 범위를 제공하지는 않습니다. 중고 장비 평가 시에는 액체 냉각 옵션, 정확도 모드 구성, 디스펜싱 모듈 개수, 비전 시스템 세대 등을 꼼꼼히 확인해야 합니다. 공정 조건이 hS의 정확도 및 다이 크기 범위에 부합한다면, 이 플랫폼은 부품 및 서비스 접근성이 용이하여 비용 효율적인 생산 도구로 활용될 수 있습니다.
