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시바우라 TFC-9000 고급 플립칩 본딩 시스템

TFC-9000은 칩 우선(Chip-1st) 및 칩 후단(Chip-Last, RDL-1st) FO-WLP 흐름을 모두 처리합니다. 면이 위로 향하면 DAF 또는 접착 시트를 사용하고, 면이 아래로 향하면 C4를 사용합니다. 듀얼 헤드 구성으로 전체 정렬과 로컬 정렬 작업을 분리합니다.

SHIBAURA TFC-9000 Advanced Flip Chip Bonding System 장비 이미지
구성 검토 모델 및 설치된 옵션
신규/중고 공급 프로젝트 가능 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
글로벌 배송 목적지 기반 평가
기술 견적 요청 패키지 및 프로세스 매칭

FO-WLP 및 FC-BGA 대량 생산에는 높은 처리량과 정밀한 정렬이 매우 중요합니다. 그만큼 시바우라 TFC-9000 듀얼 헤드 설계를 채택하여 안정적인 고속 플립칩 조립을 제공합니다.

이는 다음과 같은 국소 정렬 정확도를 달성합니다. 5μm최대 7μm의 글로벌 정렬 정밀도와 시간당 6000개 이상의 처리량을 자랑합니다. 이 시스템은 최대 20×20mm의 다이 크기와 최대 330×330mm의 기판을 지원하며, DAF, C4 및 열압착 본딩 공정과 호환됩니다. 옵션으로 제공되는 플럭스 전송 및 박막 다이 픽업 모듈을 통해 공정 유연성을 확장할 수 있습니다.

일관된 배치 성능으로 긴 생산 주기 동안 조립 결함률을 낮게 유지합니다. 대량의 웨이퍼 레벨 패키징 작업을 효율적으로 처리하여 전체 공장 생산량을 향상시킵니다.

SHIBAURA TFC-9000 Advanced Flip Chip Bonding System

기술 사양 (일반적인 구성)

성능 값은 공정 레시피, 장비 설정 및 장치 특성에 따라 달라집니다.

매개변수일반적인 설명
시스템 유형완전 자동 플립칩 본딩 플랫폼
배치 정확도±2 μm ~ ±5 μm @ 3σ (공정에 따라 다름)
지원되는 프로세스플립칩 매스 리플로우 / 열압착 본딩(TCB)
웨이퍼 크기 지원최대 8인치 또는 12인치 (구성 사양에 따라 다름)
기판 호환성적층 기판, 세라믹 캐리어, 실리콘 인터포저
처리량정렬 복잡성 및 결합 방식에 따라 다릅니다.