高通量和精確對準對於 FO-WLP 和 FC-BGA 的大規模生產至關重要。 這 SHIBAURA TFC-9000 採用雙頭設計，可實現穩定的高速倒裝晶片組裝。
它實現了局部對齊精度 5微米此系統全域對準精度可達 7μm，吞吐量超過 6000 UPH。它支援最大 20×20mm 的晶片尺寸和最大 330×330mm 的基板，相容於 DAF、C4 和熱壓鍵合製程。可選的助焊劑轉移模組和薄晶片拾取模組進一步擴展了製程靈活性。
穩定的貼片性能確保在漫長的生產週期內將組裝缺陷率降至最低。它能夠有效率地處理大量晶圓級封裝任務，從而提升晶圓廠的整體產量。
技術規格（典型配置）
性能值因製程配方、工具設定和設備特性而異。
| 範圍 | 典型描述 |
|---|---|
| 系統類型 | 全自動倒裝晶片鍵結平台 |
| 放置精度 | ±2 μm 至 ±5 μm @ 3σ（取決於製程） |
| 支援的流程 | 倒裝晶片回流焊/熱壓鍵結（TCB） |
| 晶圓尺寸支持 | 最大 8 英吋或 12 英吋（取決於配置） |
| 基材相容性 | 層壓基板、陶瓷載體、矽中介層 |
| 吞吐量 | 取決於排列複雜程度和鍵結模式 |