DISCO DFL7341 전자동 레이저 절단기는 Stealth Dics 기술을 사용하여 8인치(Φ200mm) 웨이퍼를 분리 절단합니다. 웨이퍼 로딩, 사전 정렬, 레이저 내부 수정부터 언로딩까지 카세트 간 완전 자동화 워크플로우를 실행하여 웨이퍼 처리 라인에서 수동 개입을 최소화합니다.
기존의 블레이드 다이싱이나 레이저 어블레이션 절단 방식과 달리, 이 장비는 기판 표면을 절단하는 대신 기판 내부에 변형된 층을 생성합니다. 건식 공정으로 인해 파편이 거의 발생하지 않고 후처리 세척 단계가 생략되므로 습기에 민감한 MEMS, 실리콘 마이크로폰 및 입자 오염에 취약한 장치에 이상적입니다. 사파이어, 탄탈산리튬, SiC 및 GaN을 포함한 취성 재료에서도 낮은 파편 발생률로 분리가 가능합니다.
내장된 높이 감지 및 웨이퍼 윤곽 인식 기능은 휘어진 얇은 웨이퍼를 보정하여 고르지 않은 기판에서도 일관된 레이저 초점을 유지합니다. 좁은 커프(kerf) 기능은 웨이퍼당 다이 수를 늘려 LED 기판 및 화합물 반도체 생산에 필요한 재료 활용도를 향상시킵니다. 이 플랫폼은 SDBG 및 SDTT 공정 레시피를 지원하여 다양한 칩 분리 공정에 유연하게 통합할 수 있습니다.
당사는 시스템 점검, 기능 테스트 및 확장된 사후 유지보수 서비스를 포함한 재정비된 DISCO DFL7341 레이저 톱을 공급합니다. 장비 재고 여부, 공정 검증 및 예비 부품 지원에 대한 문의는 당사로 연락해 주십시오.
주요 사양을 한눈에 보기
| 목 | 사양 |
|---|---|
| 처리 방법 | 스텔스 다이싱™(레이저 스텔스 다이싱) |
| 최대 공작물 크기 | 직경 200mm (8인치) |
| 적용 가능한 재료 | 순수 실리콘 웨이퍼(다이싱 스트리트에 산화물/금속 코팅 없음) |
| 웨이퍼 두께 범위 | 0.1~0.7mm |
| 최소 다이 사이즈 | 0.5mm 이상 |
| 레이저 파장 | 약 1300nm |
| X축 직진도 정확도 | ≤0.002mm/210mm |
| Y축 위치 정확도 | ≤0.003mm/210mm |
| Z축 반복성 | 0.001mm |
| X축 절삭 속도 | 1–1000mm/s |
| 시스템 크기 | 950×1732×1800mm |
| 시스템 무게 | 약 1800kg |
