ASMPT ALSI LASER1205는 정밀한 멀티빔 레이저 다이싱 및 그루빙을 가능하게 합니다. 독자적인 멀티빔 레이저 광학 장치와 웨이퍼 스텝 모션 제어 기술은 열 손상을 최소화하면서 높은 처리량을 보장합니다.
여러 개의 레이저 빔을 동시에 사용하여 다이싱 경로를 따라 에너지를 고르게 분산시킴으로써 국부적인 열 축적을 줄입니다. 이러한 방식은 취약한 저유전율 유전체 층과 얇은 다이를 효과적으로 보호하여 균열이나 구조적 손상 문제를 방지합니다. 또한, 이 시스템은 다이싱 과정 중 다이싱 커프를 실시간으로 모니터링하여 결함을 조기에 감지하고 불량률을 최소화합니다. 베어 웨이퍼와 다이싱 테이프 프레임에 장착된 웨이퍼 모두에 적합하며, 다양한 기판 두께를 지원합니다.
주요 특징:
다중 빔 기술: 특허받은 다중 빔 레이저 공정을 통해 100μm 실리콘 웨이퍼에서 12μm 미만의 절단 폭을 구현합니다. 빔당 출력은 낮지만 다수의 빔을 사용하여 높은 재료 제거율을 달성하고 열영향부(HAZ < 2μm)를 최소화합니다.
초박형 웨이퍼 가공 기능: 10μm에서 250μm 두께의 웨이퍼를 1.5μm 미만의 위치 정확도와 재현성으로 가공할 수 있으며, 기존 레이저 절단 방식보다 약 50% 빠른 속도로 작동합니다.
특허받은 V-프로세스를 이용한 풀컷 다이싱: DAF 또는 FOW를 포함한 저유전율(박막) Si 웨이퍼의 풀컷 다이싱을 가능하게 하며, 높은 다이 강도(450-500MPa)와 낮은 버(<5μm)를 구현합니다. 단일 공정 단계로 DBG 또는 하이브리드 다이싱 기술에 필요한 추가 생산 단계를 제거합니다.
정밀 슬라이더 컨셉: 독창적인 웨이퍼 스테퍼 컨셉을 통해 모든 공정 조건에서 높은 정확도와 재현성을 구현합니다.
기술 사양:
| 사양 | 단위 | 값 |
|---|---|---|
| 처리 방법 | – | 다중빔 레이저 다이싱 |
| 웨이퍼 두께 범위 | μm | 10 – 250 |
| 위치 정확도 | μm | < 1.5 |
| 절단 폭 (100μm Si) | μm | < 12 |
| 열영향부(HAZ) | μm | < 2 |
| 자외선 파장 | 나노미터 | 355 |
| 적외선 파장 | 나노미터 | 1064 |
| 웨이퍼 크기 | 인치 | 최대 12명 |
응용 분야:
SiC 전력 소자 분리, GaAs RF 칩 절단, 저유전율 박막 웨이퍼 분리, MEMS 소자 절단 및 열 손상 최소화가 요구되는 고급 패키징 응용 분야에 이상적입니다.
