ASMPT ALSI LASER1205 可實現精密多光束雷射切割和開槽。其專有的多光束雷射光學系統和晶圓步進運動控制技術可最大限度地減少熱損傷，同時確保高產量。
透過同時使用多束雷射進行加工，能量沿著切割路徑均勻分佈，從而減少局部熱量積聚；這種方法能有效保護脆弱的低介電常數層和薄晶片，防止裂縫或結構完整性問題。該系統在加工過程中即時監測切割縫隙，以便及早發現缺陷並最大限度地減少廢品。它適用於裸晶圓和安裝在切割帶框架上的晶圓，並支援多種基板厚度。
主要特點：
多光束技術：專利多光束雷射製程可在 100μm 厚的矽片上實現小於 12μm 的切割寬度。單束功率低但光束數量多，可實現高材料去除率和最小的熱影響區（HAZ < 2μm）。
超薄晶圓加工能力：可加工厚度為 10μm 至 250μm 的晶圓，定位精度和重複性小於 1.5μm，加工速度比傳統雷射切割方法快約 50%。
專利V型全切割製程：可對低介電常數（薄）矽晶圓（包括DAF或FOW）進行全切割，同時實現高晶片強度（450-500MPa）和低毛邊（<5μm）。單步驟製程省去了DBG或混合切割技術所需的額外生產步驟。
精密滑塊概念：獨特的晶圓步進器概念可在所有加工條件下實現高精度和可重複性。
技術規格：
| 規格 | 單元 | 價值 |
|---|---|---|
| 加工方法 | – | 多光束雷射切割 |
| 晶圓厚度範圍 | 微米 | 10 – 250 |
| 定位精度 | 微米 | < 1.5 |
| 切割寬度（100μm Si） | 微米 | < 12 |
| 熱影響區（HAZ） | 微米 | < 2 |
| 紫外線波長 | 奈米 | 355 |
| 紅外線波長 | 奈米 | 1064 |
| 晶圓尺寸 | 英吋 | 最多 12 |
應用領域：
非常適合用於 SiC 功率元件切割、GaAs 射頻晶片切割、低介電常數薄晶圓分離、MEMS 裝置切割以及需要最小熱損傷的先進封裝應用。
