고농도 도핑은 반도체 웨이퍼의 소스/드레인 영역 및 웰 구조 형성에 있어 핵심적인 단계입니다. SEN GSD III 90은 고전류 이온 주입을 통해 이러한 요구 사항을 충족하며, 이 장비에서 사용되는 도핑 물질에는 붕소, 인, 비소 등이 있습니다. 이 장비의 핵심 역할은 기존 반도체 제조 공정에 필요한 도핑 농도와 주입 프로파일을 제공하는 것입니다.
채널링 제어가 필요한 경우 임플란트 각도는 특히 중요합니다. 웨이퍼 기울기, 빔 특성 및 도즈 균일성은 모두 최종 도핑 분포에 영향을 미칩니다. GSD III 90 플랫폼은 150mm 및 200mm 웨이퍼 처리에 사용되므로 기존 생산 공정에 장비를 맞추려면 특정 엔드 스테이션 설정 및 빔라인 구성이 중요합니다.
SEN GSD III 90 주요 사양
| 제조업체 | SEN / 스미토모 이튼 노바 |
|---|---|
| 모델 | GSD III 90 |
| 대안 모델 스타일 | NV-GSD III-90 |
| 장비 유형 | 고전류 이온 주입기 |
| 지원되는 웨이퍼 크기 | 제공된 목록에 따르면 150mm와 200mm입니다. |
| 임플란트 전류 등급 | 고전류 |
| 빔라인 구성 | 설치된 소스, 분석 자석 및 가속기 구성을 확인해야 합니다. |
| 웨이퍼 가공 | 웨이퍼 디스크 및 배치 구성은 설치된 엔드 스테이션에 따라 다릅니다. |
| 임플란트 각도 | 사용 가능한 장비의 기울기 및 회전 기능을 확인해야 합니다. |
| 용량 모니터링 | 패러데이 및 선량 제어 구성은 점검 및 교정되어야 합니다. |
| 공정 종 | 지원되는 이온은 소스, 가스 박스 및 빔라인 이력에 따라 달라집니다. |
| 상태 | 중고 반도체 장비 |
| 유효성 | 현재 재고, 검사 및 구성 확인 후 변동될 수 있습니다. |
