Việc pha tạp liều cao là một bước quan trọng trong việc hình thành các vùng nguồn/thoát và cấu trúc giếng trong các tấm bán dẫn. Thiết bị SEN GSD III 90 đáp ứng các yêu cầu này thông qua cấy ion dòng điện cao, với boron, phốt pho và asen là những chất pha tạp được sử dụng trong loại thiết bị này. Vai trò của nó tập trung vào việc cung cấp liều lượng chất pha tạp và cấu hình cấy ghép cần thiết cho quy trình sản xuất bán dẫn hiện có.
Góc cấy ghép đặc biệt quan trọng khi cần kiểm soát sự phân bố tia laser theo kênh. Độ nghiêng của tấm wafer, đặc tính chùm tia và độ ổn định liều lượng đều ảnh hưởng đến sự phân bố chất pha tạp cuối cùng. Nền tảng GSD III 90 được sử dụng để xử lý wafer 150 mm và 200 mm, do đó việc thiết lập trạm cuối và cấu hình đường truyền tia cụ thể của nó rất quan trọng khi lựa chọn máy phù hợp với quy trình sản xuất hiện có.
Thông số kỹ thuật chính của SEN GSD III 90
| Nhà sản xuất | SEN / Sumitomo Eaton Nova |
|---|---|
| Người mẫu | GSD III 90 |
| Kiểu dáng mẫu thay thế | NV-GSD III-90 |
| Loại thiết bị | Máy cấy ion dòng điện cao |
| Kích thước wafer được hỗ trợ | Theo danh sách hiện có, kích thước là 150 mm và 200 mm. |
| Cấy ghép dòng điện | Dòng điện cao |
| Cấu hình đường truyền chùm tia | Cần xác nhận nguồn đã lắp đặt, cấu hình nam châm phân tích và gia tốc. |
| Xử lý tấm bán dẫn | Cấu hình đĩa wafer và lô hàng phụ thuộc vào trạm cuối được cài đặt. |
| Góc cấy ghép | Khả năng nghiêng và xoay phải được xác minh từ máy móc hiện có. |
| Giám sát liều lượng | Cần kiểm tra và hiệu chuẩn cấu hình Faraday và điều khiển liều lượng. |
| Các loài trong quá trình | Các ion được hỗ trợ phụ thuộc vào nguồn, hộp khí và lịch sử của đường truyền tia. |
| Tình trạng | Thiết bị bán dẫn đã qua sử dụng |
| Tính khả dụng | Tùy thuộc vào tình trạng hàng tồn kho hiện tại, việc kiểm tra và xác nhận cấu hình. |
