การเติมสารเจือปนในปริมาณสูงเป็นขั้นตอนสำคัญในการสร้างบริเวณแหล่งกำเนิด/ระบายประจุและโครงสร้างบ่อในเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ เครื่อง SEN GSD III 90 ตอบสนองความต้องการเหล่านี้ด้วยการฝังไอออนกระแสสูง โดยมีโบรอน ฟอสฟอรัส และสารหนูเป็นสารเจือปนที่ใช้ในอุปกรณ์ประเภทนี้ บทบาทของเครื่องนี้มุ่งเน้นไปที่การส่งมอบปริมาณสารเจือปนและรูปแบบการฝังไอออนที่จำเป็นสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันอยู่แล้ว
มุมการฝังสารมีความสำคัญอย่างยิ่งเมื่อต้องควบคุมการกระจายตัวของสารเจือปน การเอียงของเวเฟอร์ คุณลักษณะของลำแสง และความสม่ำเสมอของปริมาณรังสี ล้วนส่งผลต่อการกระจายตัวของสารเจือปนในขั้นสุดท้าย แพลตฟอร์ม GSD III 90 เกี่ยวข้องกับการประมวลผลเวเฟอร์ขนาด 150 มม. และ 200 มม. ทำให้การตั้งค่าสถานีปลายทางและการกำหนดค่าลำแสงเฉพาะมีความสำคัญเมื่อเลือกเครื่องให้เข้ากับกระบวนการผลิตที่มีอยู่
ข้อมูลจำเพาะหลักของ SEN GSD III 90
| ผู้ผลิต | SEN / ซูมิโตโม อีตัน โนวา |
|---|---|
| แบบอย่าง | จีเอสดี III 90 |
| รูปแบบโมเดลทางเลือก | เอ็นวี-จีเอสดี III-90 |
| ประเภทอุปกรณ์ | เครื่องฝังไอออนกระแสสูง |
| ขนาดเวเฟอร์ที่รองรับ | ตามรายการที่มีอยู่ มีขนาด 150 มม. และ 200 มม. |
| การปลูกถ่ายคลาสปัจจุบัน | กระแสไฟฟ้าสูง |
| การกำหนดค่าลำแสง | ต้องตรวจสอบแหล่งกำเนิดที่ติดตั้ง แม่เหล็กวิเคราะห์ และการกำหนดค่าการเร่งความเร็วให้ถูกต้อง |
| การประมวลผลเวเฟอร์ | การกำหนดค่าแผ่นเวเฟอร์และชุดการผลิตขึ้นอยู่กับสถานีปลายทางที่ติดตั้งไว้ |
| มุมฝัง | ต้องตรวจสอบความสามารถในการเอียงและการหมุนของเครื่องจักรที่มีอยู่ |
| การติดตามปริมาณยา | ต้องตรวจสอบและปรับเทียบระบบฟาราเดย์และระบบควบคุมปริมาณรังสี |
| ชนิดของกระบวนการ | ไอออนที่รองรับได้นั้นขึ้นอยู่กับแหล่งกำเนิด กล่องก๊าซ และประวัติของลำแสง |
| เงื่อนไข | อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มือสอง |
| ความพร้อมใช้งาน | ขึ้นอยู่กับสินค้าในสต็อกปัจจุบัน การตรวจสอบ และการยืนยันการกำหนดค่า |
