전력 소자 제조업체가 웨이퍼 가장자리를 정밀하게 제거해야 할 때, PVA TePla/Technics 660은 이러한 작업에 특화된 장비로 사용됩니다. 마이크로파 플라즈마 에칭기 에지 절연 처리에 사용됩니다. 2.45GHz 무전극 마이크로파 플라즈마는 웨이퍼 가장자리를 따라 발생하는 표면 누설 경로를 제거하여 실리콘 전력 칩의 항복 전압을 높이는 데 중요한 역할을 합니다.
정밀 가스 질량 유량 제어기와 저압 진공 환경은 매우 정밀한 조정을 가능하게 합니다. 모서리 에칭 깊이회전식 웨이퍼 스테이지는 웨이퍼 전체 둘레를 따라 균일한 제거를 보장하는 동시에 활성 중앙 소자 영역의 손상을 최소화합니다.
다목적 에칭 챔버와 달리, 이 시스템은 에지 분리 작업에 특화되어 설계되었습니다. 견고한 알루미늄 챔버 설계로 세척 및 부품 교체가 간편하여, 성숙한 전력 반도체 생산 라인에 비용 효율적인 2차 공정 도구로 활용될 수 있습니다.
PVA TePla Technics 660 주요 사양
| 제조업체 | PVA 테플라 / 테크닉스 |
|---|---|
| 모델 | 660 |
| 장비 유형 | 저압 마이크로파 플라즈마 에칭 시스템 |
| 구성된 프로세스 | 태양 전지 가장자리 절연 에칭 |
| 장비 연식 | 2008년, 사용 가능한 장비 목록에 따르면 |
| 기록된 운영 시간 | 제공된 장비 목록에 따르면 16시간입니다. |
| 플라즈마 주파수 | 2.45GHz |
| 전자레인지 전력 | 0~1,000와트 |
| 공정 챔버 재료 | 알류미늄 |
| 챔버 용적 | 64리터 |
| 챔버 내부 치수 | 400 × 400 × 400 mm |
| 설치된 공정 가스 입력 | 장비 목록에 따르면 MFC로 제어되는 가스 입력 단자가 3개 있습니다. |
| 단계 | 장비 목록에 따르면 350mm 직경의 스테이지 옵션입니다. |
| 진공 연결 | DN 63 ISO K |
| 기저 압력 | 대략 2 × 10-2 엠바르 |
| 공정 압력 | 약 0.2~2mbar |
| 대피 시간 | 약 1분 |
| 진공 펌프 포함 | 장비 목록에 따르면 EBARA 오일 프리 건식 펌프입니다. |
| 전기 공급 | 230V, 단상, 16A, 50/60Hz |
| 대략적인 치수 | 1,050 × 1,720 × 770 mm |
| 대략적인 무게 | 진공 펌프를 제외하면 180kg입니다. |
| 상태 | 중고 반도체 장비 |
| 유효성 | 현재 재고, 검사 및 구성 확인 후 변동될 수 있습니다. |
