RUMAH > Produk > Peralatan Fabrik Wafer Bahagian Hadapan > Peralatan Etsa Semikonduktor >

Pengukir Plasma Pengasingan Tepi PVA TePla / Technics 660 Terpakai

Sistem plasma gelombang mikro PVA TePla / Technics 660 2008 terpakai yang dikonfigurasikan untuk pengetsaan tepi sel suria, dengan peringkat 350 mm dan pam kering EBARA.

Used PVA TePla / Technics 660 Edge Isolation Plasma Etcher IMEJ PERALATAN
Semakan Konfigurasi Model dan pilihan yang dipasang
Bekalan Baru / Terpakai Tertakluk kepada ketersediaan projek
Penghantaran Global Penilaian berasaskan destinasi
RFQ Teknikal Pemadanan pakej dan proses

Apabila pengeluar peranti kuasa memerlukan penyingkiran tepi wafer terkawal, PVA TePla / Technics 660 berfungsi sebagai alat khusus pengukir plasma gelombang mikro untuk pemprosesan pengasingan tepi. Plasma gelombang mikro bebas elektrod 2.45GHznya menghapuskan laluan kebocoran permukaan di sepanjang rim wafer, satu langkah penting untuk meningkatkan voltan kerosakan untuk cip kuasa silikon.

Pengawal aliran jisim gas jitu dan persekitaran vakum tekanan rendah memberikan kebolehtalaan yang tinggi kedalaman ukiran tepiPeringkat wafer yang berputar memastikan penyingkiran seragam di sekitar perimeter wafer penuh sambil memastikan kerosakan pada kawasan peranti pusat aktif minimum.

Tidak seperti ruang etsa pelbagai guna, sistem ini dibina khas untuk tugas pengasingan tepi. Reka bentuk ruang aluminiumnya yang teguh memudahkan pembersihan dan penggantian bahagian, menjadikannya alat proses sekunder yang kos efektif untuk barisan pengeluaran semikonduktor kuasa yang matang.

PVA TePla Technics 660 edge isolation plasma etcher

Spesifikasi Utama PVA TePla Technics 660

PengilangPVA TePla / Teknik
Model660
Jenis PeralatanSistem Pengukir Plasma Gelombang Mikro Tekanan Rendah
Proses yang DikonfigurasikanPengukiran Tepi Sel Suria
Tahun Peralatan2008, mengikut senarai peralatan yang ada
Waktu Operasi yang Direkodkan16 jam, mengikut senarai peralatan yang tersedia
Frekuensi Plasma2.45 GHz
Kuasa Ketuhar Gelombang Mikro0–1,000 W
Bahan Kebuk ProsesAluminium
Isipadu Ruang64 liter
Dimensi Dalaman Ruang400 × 400 × 400 mm
Input Gas Proses TerpasangTiga input gas terkawal MFC, mengikut senarai peralatan
PentasPilihan pentas berdiameter 350 mm, mengikut senarai peralatan
Sambungan VakumDN 63 ISO K
Tekanan AsasLebih kurang 2 × 10-2mbar
Tekanan ProsesLebih kurang 0.2–2 mbar
Masa PemindahanLebih kurang 1 minit
Pam Vakum TermasukPam kering bebas minyak EBARA, mengikut senarai peralatan
Bekalan Elektrik230 V, fasa tunggal, 16 A, 50/60 Hz
Dimensi Anggaran1,050 × 1,720 × 770 mm
Berat Anggaran180 kg, tidak termasuk pam vakum
KeadaanPeralatan semikonduktor terpakai
KetersediaanTertakluk kepada stok semasa, pemeriksaan dan pengesahan konfigurasi

PVA TePla 660 microwave plasma chamber and 350 mm stage

PVA TePla Technics 660 installed process configuration