บ้าน > สินค้า > อุปกรณ์การผลิตเวเฟอร์ขั้นต้น > อุปกรณ์กัดเซาะเซมิคอนดักเตอร์ >

เครื่องกัดพลาสม่าแบบแยกขอบ PVA TePla / Technics 660 มือสอง

เครื่องมือตัดด้วยพลาสมาไมโครเวฟ PVA TePla / Technics 660 ปี 2008 ที่ใช้งานแล้ว ดัดแปลงสำหรับการกัดขอบเพื่อแยกเซลล์แสงอาทิตย์ โดยมีแท่นวางขนาด 350 มม. และปั๊มแห้ง EBARA

Used PVA TePla / Technics 660 Edge Isolation Plasma Etcher ภาพอุปกรณ์
การตรวจสอบการกำหนดค่า รุ่นและตัวเลือกที่ติดตั้ง
อุปกรณ์ใหม่/มือสอง ขึ้นอยู่กับความพร้อมของโครงการ
การจัดส่งทั่วโลก การประเมินตามจุดหมายปลายทาง
เอกสารขอเสนอราคาทางเทคนิค (Technical RFQ) การจับคู่บรรจุภัณฑ์และกระบวนการ

เมื่อผู้ผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้าต้องการการกำจัดขอบเวเฟอร์อย่างแม่นยำ เครื่อง PVA TePla / Technics 660 จะทำหน้าที่เป็นเครื่องมือเฉพาะทาง เครื่องแกะสลักพลาสมาไมโครเวฟ สำหรับการประมวลผลการแยกขอบ พลาสมาไมโครเวฟแบบไร้ขั้วไฟฟ้าความถี่ 2.45GHz ช่วยขจัดเส้นทางการรั่วไหลของพื้นผิวตามขอบเวเฟอร์ ซึ่งเป็นขั้นตอนสำคัญในการเพิ่มแรงดันพังทลายสำหรับชิปซิลิคอนกำลังสูง

ตัวควบคุมอัตราการไหลของมวลก๊าซที่มีความแม่นยำสูงและสภาพแวดล้อมสุญญากาศความดันต่ำช่วยให้สามารถปรับแต่งได้อย่างละเอียด ความลึกของการกัดขอบแท่นวางเวเฟอร์แบบหมุนได้ช่วยให้การกำจัดวัสดุรอบขอบเวเฟอร์เป็นไปอย่างสม่ำเสมอ พร้อมทั้งลดความเสียหายต่อบริเวณอุปกรณ์ตรงกลางให้น้อยที่สุด

ระบบนี้แตกต่างจากห้องกัดเซาะอเนกประสงค์ทั่วไป เนื่องจากได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับงานแยกขอบ (edge ​​isolation) การออกแบบห้องอะลูมิเนียมที่แข็งแรงทนทานช่วยให้การทำความสะอาดและการเปลี่ยนชิ้นส่วนทำได้ง่าย ทำให้เป็นเครื่องมือเสริมที่มีประสิทธิภาพคุ้มค่าสำหรับสายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าที่พัฒนาแล้ว

PVA TePla Technics 660 edge isolation plasma etcher

ข้อมูลจำเพาะหลักของ PVA TePla Technics 660

ผู้ผลิตพีวีเอ เทปลา / เทคนิคส์
แบบอย่าง660
ประเภทอุปกรณ์ระบบการกัดด้วยพลาสมาไมโครเวฟความดันต่ำ
กระบวนการที่กำหนดค่าไว้การกัดเซาะขอบเพื่อแยกเซลล์แสงอาทิตย์
ปีของอุปกรณ์ปี 2008 ตามรายการอุปกรณ์ที่มีอยู่
เวลาทำการที่บันทึกไว้16 ชั่วโมง ตามรายการอุปกรณ์ที่มีอยู่
ความถี่พลาสมา2.45 GHz
พลังงานไมโครเวฟ0–1,000 วัตต์
วัสดุห้องกระบวนการอะลูมิเนียม
ปริมาตรห้อง64 ลิตร
ขนาดภายในห้อง400 × 400 × 400 มม.
ปริมาณก๊าซป้อนเข้าที่ติดตั้งตามรายการอุปกรณ์ระบุว่า มีช่องป้อนก๊าซที่ควบคุมด้วย MFC จำนวน 3 ช่อง
เวทีตัวเลือกแท่นวางขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 350 มม. ตามรายการอุปกรณ์
การเชื่อมต่อสุญญากาศDN 63 ISO K
แรงดันฐานประมาณ 2 × 10-2 เอ็มบาร์
แรงดันกระบวนการประมาณ 0.2–2 มิลลิบาร์
เวลาอพยพประมาณ 1 นาที
รวมปั๊มสุญญากาศปั๊มแห้งแบบไร้น้ำมัน EBARA ตามรายการอุปกรณ์ที่ระบุไว้
การจ่ายไฟฟ้า230 โวลต์, เฟสเดียว, 16 แอมป์, 50/60 เฮิรตซ์
ขนาดโดยประมาณ1,050 × 1,720 × 770 มม.
น้ำหนักโดยประมาณ180 กิโลกรัม ไม่รวมปั๊มสุญญากาศ
เงื่อนไขอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มือสอง
ความพร้อมใช้งานขึ้นอยู่กับสินค้าในสต็อกปัจจุบัน การตรวจสอบ และการยืนยันการกำหนดค่า

PVA TePla 660 microwave plasma chamber and 350 mm stage

PVA TePla Technics 660 installed process configuration