บ้าน > สินค้า > อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ส่วนหลัง > อุปกรณ์ประกอบและเชื่อมต่อ > ฟลิปชิปบอนเดอร์ >

ระบบเชื่อมต่อฟลิปชิปขั้นสูง SHIBAURA TFC-9000

TFC-9000 รองรับทั้งกระบวนการ FO-WLP แบบ Chip-1st และ Chip-Last (RDL-1st) โหมด Face Up รองรับแผ่น DAF หรือแผ่นกาว ส่วนโหมด Face Down รองรับแผ่น C4 การตั้งค่าแบบหัวคู่ช่วยแบ่งหน้าที่การจัดแนวทั้งแบบโดยรวมและแบบเฉพาะจุด

SHIBAURA TFC-9000 Advanced Flip Chip Bonding System ภาพอุปกรณ์
การตรวจสอบการกำหนดค่า รุ่นและตัวเลือกที่ติดตั้ง
อุปกรณ์ใหม่/มือสอง ขึ้นอยู่กับความพร้อมของโครงการ
การจัดส่งทั่วโลก การประเมินตามจุดหมายปลายทาง
เอกสารขอเสนอราคาทางเทคนิค (Technical RFQ) การจับคู่บรรจุภัณฑ์และกระบวนการ

อัตราการผลิตสูงและการจัดเรียงที่แม่นยำเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับการผลิตจำนวนมากของ FO-WLP และ FC-BGA เดอะ ชิบาอุระ ทีเอฟซี-9000 ใช้การออกแบบหัวคู่เพื่อให้การประกอบฟลิปชิปความเร็วสูงมีเสถียรภาพ

สามารถบรรลุความแม่นยำในการจัดแนวในระดับท้องถิ่นได้ที่ 5 ไมโครเมตรด้วยความแม่นยำในการจัดตำแหน่งทั่วโลกสูงสุดถึง 7 ไมโครเมตร และอัตราการผลิตที่สูงกว่า 6000 ชิ้นต่อชั่วโมง ระบบรองรับขนาดชิ้นส่วนสูงสุด 20×20 มม. และแผ่นรองรับขนาดใหญ่ถึง 330×330 มม. เข้ากันได้กับกระบวนการเชื่อมแบบ DAF, C4 และการเชื่อมแบบบีบอัดด้วยความร้อน โมดูลถ่ายโอนฟลักซ์และโมดูลหยิบชิ้นส่วนบางเสริมช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นของกระบวนการ

ประสิทธิภาพการวางตำแหน่งที่สม่ำเสมอช่วยลดข้อบกพร่องในการประกอบในระหว่างรอบการผลิตที่ยาวนาน และจัดการงานบรรจุภัณฑ์ระดับเวเฟอร์ปริมาณมากได้อย่างมีประสิทธิภาพ เพื่อเพิ่มผลผลิตโดยรวมของโรงงาน

SHIBAURA TFC-9000 Advanced Flip Chip Bonding System

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค (การกำหนดค่าทั่วไป)

ค่าประสิทธิภาพจะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับสูตรการผลิต การตั้งค่าเครื่องมือ และลักษณะเฉพาะของอุปกรณ์

พารามิเตอร์คำอธิบายทั่วไป
ประเภทระบบแพลตฟอร์มการเชื่อมต่อฟลิปชิปแบบอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
ความแม่นยำในการวางตำแหน่ง±2 μm ถึง ±5 μm ที่ 3σ (ขึ้นอยู่กับกระบวนการ)
กระบวนการที่ได้รับการสนับสนุนการเชื่อมแบบฟลิปชิปด้วยความร้อนสูง / การเชื่อมแบบเทอร์โมคอมเพรสชั่น (TCB)
รองรับขนาดเวเฟอร์ขนาดสูงสุด 8 นิ้ว หรือ 12 นิ้ว (ขึ้นอยู่กับการกำหนดค่า)
ความเข้ากันได้ของวัสดุรองรับแผ่นรองพื้นแบบลามิเนต, ตัวรองรับเซรามิก, ตัวเชื่อมซิลิคอน
อัตราการไหลผ่านแตกต่างกันไปตามความซับซ้อนของการจัดเรียงและรูปแบบการยึดติด