Năng suất cao và sự căn chỉnh chính xác là rất quan trọng đối với sản xuất hàng loạt FO-WLP và FC-BGA. Cái SHIBAURA TFC-9000 Sử dụng thiết kế hai đầu để cung cấp khả năng lắp ráp chip lật tốc độ cao ổn định.
Nó đạt được độ chính xác căn chỉnh cục bộ tại 5μmVới khả năng căn chỉnh toàn cầu lên đến 7μm và năng suất vượt quá 6000 UPH. Hệ thống hỗ trợ kích thước chip lên đến 20×20mm và chất nền lớn đến 330×330mm, tương thích với các quy trình liên kết DAF, C4 và ép nhiệt. Các mô-đun truyền chất trợ hàn và gắp chip mỏng tùy chọn giúp mở rộng tính linh hoạt của quy trình.
Hiệu suất sắp xếp ổn định giúp giảm thiểu lỗi lắp ráp trong suốt các chu kỳ sản xuất dài. Nó xử lý hiệu quả các tác vụ đóng gói cấp độ wafer khối lượng lớn để tăng sản lượng tổng thể của nhà máy.
Thông số kỹ thuật (Cấu hình điển hình)
Các giá trị hiệu suất có thể khác nhau tùy thuộc vào công thức quy trình, thiết lập dụng cụ và đặc điểm của thiết bị.
| Tham số | Mô tả điển hình |
|---|---|
| Loại hệ thống | Nền tảng ghép chip lật hoàn toàn tự động |
| Độ chính xác vị trí | Sai số từ ±2 μm đến ±5 μm ở mức 3σ (tùy thuộc vào quy trình) |
| Các quy trình được hỗ trợ | Hàn chảy hàng loạt chip lật / Liên kết nén nhiệt (TCB) |
| Hỗ trợ kích thước wafer | Màn hình tối đa 8 inch hoặc 12 inch (tùy thuộc vào cấu hình) |
| Khả năng tương thích với chất nền | Các chất nền nhiều lớp, chất mang gốm, chất trung gian silicon |
| Thông lượng | Giá cả thay đổi tùy thuộc vào độ phức tạp của việc căn chỉnh và phương thức liên kết. |