บ้าน > สินค้า > อุปกรณ์การผลิตเวเฟอร์ขั้นต้น > อุปกรณ์ฝังไอออน >

Axcelis GSD200 เครื่องปลูกถ่ายไอออนกระแสสูง

เครื่องมือฝังไอออนกระแสสูงแบบแบทช์ Axcelis GSD200 สำหรับเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ขนาด 150 มม. และ 200 มม. ต้องยืนยันการกำหนดค่าลำแสง แหล่งกำเนิดไอออน และกระบวนการอีกครั้ง

Axcelis GSD200 High-Current Ion Implanter ภาพอุปกรณ์
การตรวจสอบการกำหนดค่า รุ่นและตัวเลือกที่ติดตั้ง
อุปกรณ์ใหม่/มือสอง ขึ้นอยู่กับความพร้อมของโครงการ
การจัดส่งทั่วโลก การประเมินตามจุดหมายปลายทาง
เอกสารขอเสนอราคาทางเทคนิค (Technical RFQ) การจับคู่บรรจุภัณฑ์และกระบวนการ

เครื่อง Axcelis GSD200 เกี่ยวข้องกับการฝังไอออนกระแสสูงสำหรับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งกระบวนการที่ต้องการปริมาณสารเจือปนจำนวนมากบนเวเฟอร์ขนาด 200 มม. ในการผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบแยกชิ้น สภาวะการฝังไอออนมีผลต่อการก่อตัวของรอยต่อ คุณลักษณะทางไฟฟ้า และความสม่ำเสมอของอุปกรณ์ที่ผลิตเสร็จแล้ว

โบรอน ฟอสฟอรัส และสารหนู เป็นสารเจือปนที่ใช้กันทั่วไปในกระบวนการประเภทนี้ โดยชนิดของสารที่เลือกใช้และสูตรการฝังจะถูกกำหนดโดยโครงสร้างของอุปกรณ์เป้าหมาย กระแสลำแสง ความแม่นยำของปริมาณรังสี การวางแนวของแผ่นเวเฟอร์ และการควบคุมการปนเปื้อน ล้วนมีส่วนช่วยในผลลัพธ์ของกระบวนการ การจัดการแบบเป็นชุดสามารถช่วยเพิ่มปริมาณการผลิตได้ ในขณะที่การกำหนดค่าจริงของเครื่องจักรจะเป็นตัวกำหนดความสามารถในการดำเนินการขั้นตอนการฝังเฉพาะเจาะจง

สำหรับโรงงานผลิตชิปที่ยังคงใช้สายการผลิตขนาด 200 มม. อยู่ การพิจารณาใช้เครื่อง GSD200 อาจคุ้มค่าสำหรับการฝังอนุภาคด้วยปริมาณสูงอย่างต่อเนื่อง ความเข้ากันได้กับสูตรการผลิตที่มีอยู่ สภาพของแหล่งกำเนิดไอออนและลำแสง และความพร้อมของฝ่ายสนับสนุนทางเทคนิค เป็นปัจจัยสำคัญในการกำหนดมูลค่าของอุปกรณ์มือสองนี้

ข้อมูลจำเพาะหลักของ Axcelis GSD200

ผู้ผลิตบริษัท แอกซ์เซลลิส เทคโนโลยีส์
แบบอย่างจีเอสดี200
ประเภทอุปกรณ์เครื่องฝังไอออนกระแสสูงแบบแบทช์
ขนาดเวเฟอร์ที่รองรับขนาด 150 มม. และ 200 มม. ตามรายการอุปกรณ์ที่มีอยู่
การปลูกถ่ายคลาสปัจจุบันกระแสไฟฟ้าสูง
วิธีการประมวลผลเวเฟอร์การฝังแบบกลุ่มโดยใช้แผ่นเวเฟอร์หมุนหรือชุดสถานีปลายทาง ขึ้นอยู่กับการกำหนดค่า
แหล่งกำเนิดไอออนต้องตรวจสอบประเภทแหล่งสัญญาณที่ติดตั้งและการกำหนดค่าหัวแหล่งสัญญาณให้ถูกต้อง
การสกัดและลำแสงขึ้นอยู่กับการกำหนดค่า ต้องตรวจสอบช่วงแรงดันไฟฟ้าและส่วนประกอบลำแสงที่ติดตั้งไว้
การกำหนดค่าก๊าซเจือปนต้องตรวจสอบกล่องแก๊ส ท่อส่งแก๊ส และชนิดของสารเติมแต่งที่ได้รับอนุมัติจากระบบที่มีอยู่
การจัดการเวเฟอร์ต้องตรวจสอบการจัดวางตลับ, เครื่องจัดตำแหน่ง, หุ่นยนต์ และระบบดูดสุญญากาศ
การควบคุมกระบวนการการกำหนดค่าสูตร การตรวจสอบลำแสง และการควบคุมปริมาณรังสี ขึ้นอยู่กับตัวควบคุมที่ติดตั้งไว้
เงื่อนไขอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มือสอง
ความพร้อมใช้งานขึ้นอยู่กับสินค้าในสต็อกปัจจุบัน การตรวจสอบ และการยืนยันการกำหนดค่า
Axcelis GSD200 high-current ion implanter

Axcelis GSD200 beamline and wafer end station

Axcelis GSD200 equipment nameplate and configuration