Máy gắn wafer SINTAIKE STK-6020 thực hiện cán màng cho các wafer bán dẫn trước khi mài mặt sau. Khung cán màng dựa trên con lăn của máy kiểm soát lực căng, phân bố nhiệt và trạng thái tĩnh điện trong suốt chu kỳ liên kết băng keo để đạt được độ bám dính nhất quán trên bề mặt wafer. Máy hoạt động theo các trình tự bán tự động: người vận hành nạp chất nền, sau đó máy sẽ xử lý việc cuộn màng, liên kết bằng con lăn và cắt mép. Máy hoạt động với băng keo cắt màu xanh lam và băng keo tách UV cho các wafer silicon và bán dẫn phức hợp trong quy trình làm việc phòng sạch thí điểm và sản xuất quy mô vừa.
Phân tích các công nghệ cốt lõi của máy ép màng bán dẫn SINTAIKE STK-6020
Cốt lõi của máy là cụm cán màng bằng con lăn tiếp xúc. Nó duy trì áp lực con lăn liên tục và đồng đều trên toàn bộ mặt phẳng wafer, giảm lượng không khí bị kẹt gây ra hiện tượng tách lớp và sứt mẻ trong quá trình làm mỏng tiếp theo. Sự đồng bộ nhiệt độ giữa con lăn và tấm chống tĩnh điện giúp ổn định hoạt động của chất kết dính, tránh hiện tượng quá nhiệt cục bộ hoặc các điểm liên kết yếu.
Hệ thống triệt tiêu tĩnh điện đa tầng tích hợp không khí ion hóa, mâm cặp dẫn điện và lớp phủ con lăn chống tĩnh điện để trung hòa sự tích tụ điện tích. Điều này hạn chế hư hại do tĩnh điện đối với các chất nền phức hợp nhạy cảm. Cơ chế cuộn băng cung cấp lực căng cuộn băng ổn định, ngăn ngừa hiện tượng giãn băng, nhăn và liên kết không đều trên các tấm wafer mỏng.
Mô-đun cắt kép kết hợp lưỡi cắt thẳng và lưỡi cắt tròn được gia nhiệt. Việc gia nhiệt tại điểm cắt làm mềm các cạnh băng keo, giảm thiểu các gờ thừa và công việc cắt tỉa thủ công bổ sung. Các chốt định vị khí nén căn chỉnh các tấm wafer thông qua các điểm tham chiếu cạnh phẳng hoặc rãnh chữ V, hỗ trợ chuyển đổi nhanh chóng giữa các định dạng wafer 6 inch và 8 inch.
Tất cả các thông số quy trình đều được hiển thị trên màn hình cảm ứng HMI của PLC. Các công thức lưu trữ các thông số về lực căng, tốc độ và nhiệt độ, mà người vận hành có thể truy xuất hoặc điều chỉnh trực tiếp. Việc chuyển đổi giữa các loại băng keo và kích thước wafer chỉ mất vài phút, phù hợp với quy trình xử lý nhiều lô hàng khác nhau. Các khóa an toàn và mạch dừng khẩn cấp hoạt động xuyên suốt toàn bộ chu trình vận hành.
Bảng so sánh hiệu suất quy trình SINTAIKE STK-6020
| Mục quy trình | Phạm vi làm việc | Hiệu suất thực tế |
|---|---|---|
| Kích thước wafer được hỗ trợ | 6 inch / 8 inch | Thay đổi định dạng nhanh chóng mà không cần thay thế đầu nối. |
| Độ dày tấm wafer áp dụng | 300 μm – 750 μm | Lớp phủ ổn định cho các tấm wafer silicon/hợp chất mỏng và tiêu chuẩn. |
| Loại băng dính tương thích | Băng keo cắt màu xanh dương, băng keo chống tia UV | Phù hợp với nhiều cấp độ độ bền keo khác nhau. |
| Tỷ lệ bong bóng cán màng | Được kiểm soát ở mức độ lây nhiễm thấp. | Giảm thiểu công đoạn làm lại trước khi làm mỏng mặt sau của wafer. |
| Dung sai căn chỉnh | Định vị chốt chính xác | Duy trì độ lệch nhất quán cho các chất nền có rãnh chữ V và cạnh phẳng. |
| Thời gian chu kỳ đơn | Trình tự bán tự động, tùy thuộc vào lô hàng | Đảm bảo lưu lượng cân bằng cho các lô sản xuất thử nghiệm và sản xuất quy mô trung bình trong phòng sạch. |
Ứng dụng
Hệ thống cán màng này sử dụng băng keo bảo vệ để làm mỏng mặt sau của wafer. Các chất nền tương thích bao gồm silicon, GaAs và các wafer hợp chất khác. Hệ thống phù hợp với các trạm phòng sạch cho sản xuất theo lô nhỏ và vừa, dây chuyền kiểm định quy trình và các địa điểm OSAT (Operation, One-Sat, Test, Test).
