TRANG CHỦ > Các sản phẩm > Thiết bị sản xuất wafer đầu cuối > Thiết bị cấy ion >

Máy cấy ion dòng điện cao Axcelis GSD200

Máy cấy ion dòng điện cao Axcelis GSD200 đã qua sử dụng, dùng cho các tấm bán dẫn 150 mm và 200 mm. Cần xác nhận lại cấu hình đường dẫn chùm tia, nguồn ion và quy trình.

Axcelis GSD200 High-Current Ion Implanter HÌNH ẢNH THIẾT BỊ
Đánh giá cấu hình Mẫu mã và các tùy chọn đã cài đặt
Nguồn cung mới/đã qua sử dụng Tùy thuộc vào tình trạng sẵn có của dự án
Giao hàng toàn cầu Đánh giá dựa trên điểm đến
Yêu cầu báo giá kỹ thuật (Technical RFQ) Phù hợp gói hàng và quy trình

Máy Axcelis GSD200 được sử dụng trong cấy ion cường độ cao để sản xuất chất bán dẫn, đặc biệt là các quy trình yêu cầu liều lượng chất pha tạp đáng kể trên các tấm wafer 200 mm. Trong sản xuất linh kiện điện tử công suất và linh kiện rời rạc, điều kiện cấy ion ảnh hưởng đến sự hình thành mối nối, đặc tính điện và tính nhất quán của thiết bị hoàn thiện.

Bo, phốt pho và asen là những chất pha tạp phổ biến trong loại quy trình này, với loại chất được chọn và công thức cấy ghép được xác định bởi cấu trúc thiết bị mục tiêu. Dòng điện chùm tia, độ chính xác liều lượng, hướng đặt tấm wafer và kiểm soát ô nhiễm đều góp phần vào kết quả quy trình. Xử lý theo lô có thể hỗ trợ năng suất sản xuất, trong khi cấu hình thực tế của máy quyết định khả năng của nó đối với các bước cấy ghép cụ thể.

Đối với các nhà máy sản xuất chip vẫn duy trì các dây chuyền 200 mm hiện có, việc đánh giá GSD200 có thể là một lựa chọn đáng giá để tiếp tục cấy ion liều cao. Khả năng tương thích với các công thức hiện có, tình trạng của nguồn ion và đường dẫn chùm tia, cũng như sự sẵn có của hỗ trợ kỹ thuật là những yếu tố quan trọng trong việc xác định giá trị của nó như một thiết bị đã qua sử dụng.

Thông số kỹ thuật chính của Axcelis GSD200

Nhà sản xuấtCông nghệ Axcelis
Người mẫuGSD200
Loại thiết bịMáy cấy ion dòng điện cao hàng loạt
Kích thước wafer được hỗ trợ150 mm và 200 mm, theo danh sách thiết bị hiện có.
Cấy ghép dòng điệnDòng điện cao
Phương pháp xử lý waferCấy ghép hàng loạt bằng cách sử dụng đĩa wafer quay hoặc cụm trạm cuối, tùy thuộc vào cấu hình.
Nguồn ionCần xác nhận loại nguồn đã cài đặt và cấu hình đầu nguồn.
Khai thác và đường truyền tiaTùy thuộc vào cấu hình; cần phải xác minh phạm vi điện áp và các thành phần đường truyền chùm tia đã lắp đặt.
Cấu hình khí pha tạpHộp chứa khí, đường dẫn khí và các loại chất pha tạp được phê duyệt phải được xác nhận từ hệ thống hiện có.
Xử lý waferCần kiểm tra khay chứa mẫu, máy chỉnh nha, robot và cấu hình chuyển mẫu bằng chân không.
Kiểm soát quy trìnhCấu hình công thức, giám sát chùm tia và kiểm soát liều lượng phụ thuộc vào bộ điều khiển được cài đặt.
Tình trạngThiết bị bán dẫn đã qua sử dụng
Tính khả dụngTùy thuộc vào tình trạng hàng tồn kho hiện tại, việc kiểm tra và xác nhận cấu hình.
Axcelis GSD200 high-current ion implanter

Axcelis GSD200 beamline and wafer end station

Axcelis GSD200 equipment nameplate and configuration