RUMAH > Produk > Peralatan Fabrik Wafer Bahagian Hadapan > Peralatan Implantasi Ion >

Implanter Ion Arus Tinggi Axcelis GSD200

Implanter ion arus tinggi kelompok Axcelis GSD200 terpakai untuk wafer semikonduktor 150 mm dan 200 mm. Konfigurasi beamline, sumber ion dan proses memerlukan pengesahan.

Axcelis GSD200 High-Current Ion Implanter IMEJ PERALATAN
Semakan Konfigurasi Model dan pilihan yang dipasang
Bekalan Baru / Terpakai Tertakluk kepada ketersediaan projek
Penghantaran Global Penilaian berasaskan destinasi
RFQ Teknikal Pemadanan pakej dan proses

Axcelis GSD200 dikaitkan dengan implantasi ion arus tinggi untuk fabrikasi semikonduktor, terutamanya proses yang memerlukan dos dopan yang besar pada wafer 200 mm. Dalam pembuatan peranti kuasa dan diskret, keadaan implantasi mempengaruhi pembentukan simpang, ciri elektrik dan konsistensi peranti siap.

Boron, fosforus dan arsenik merupakan bahan dopan biasa dalam kategori proses ini, dengan spesies yang dipilih dan resipi implan ditentukan oleh struktur peranti sasaran. Arus pancaran, ketepatan dos, orientasi wafer dan kawalan pencemaran semuanya menyumbang kepada hasil proses. Pengendalian kelompok boleh menyokong daya pemprosesan pengeluaran, manakala konfigurasi sebenar mesin menentukan keupayaannya untuk langkah implan tertentu.

Bagi fabrikasi yang mengekalkan talian 200 mm yang telah ditetapkan, GSD200 mungkin berbaloi untuk dinilai bagi implantasi dos tinggi yang berterusan. Keserasian dengan resipi sedia ada, keadaan sumber ion dan talian pancaran, dan ketersediaan sokongan teknikal adalah faktor penting dalam menentukan nilainya sebagai peralatan terpakai.

Spesifikasi Utama Axcelis GSD200

PengilangTeknologi Axcelis
ModelGSD200
Jenis PeralatanImplan Ion Arus Tinggi Kelompok
Saiz Wafer yang Disokong150 mm dan 200 mm, mengikut senarai peralatan yang tersedia
Kelas Arus ImplanArus tinggi
Kaedah Pemprosesan WaferImplantasi kelompok menggunakan cakera wafer berputar atau pemasangan stesen akhir, bergantung pada konfigurasi
Sumber IonJenis sumber yang dipasang dan konfigurasi kepala sumber mesti disahkan
Pengekstrakan dan BeamlineBergantung pada konfigurasi; julat voltan dan komponen beamline yang dipasang mesti disahkan
Konfigurasi Gas DopanKotak gas, saluran gas dan spesies dopan yang diluluskan mesti disahkan daripada sistem yang tersedia.
Pengendalian WaferKonfigurasi kaset, penjajar, robot dan pemindahan vakum mesti diperiksa
Kawalan ProsesResipi, pemantauan pancaran dan konfigurasi kawalan dos bergantung pada pengawal yang dipasang
KeadaanPeralatan semikonduktor terpakai
KetersediaanTertakluk kepada stok semasa, pemeriksaan dan pengesahan konfigurasi
Axcelis GSD200 high-current ion implanter

Axcelis GSD200 beamline and wafer end station

Axcelis GSD200 equipment nameplate and configuration