Doping dos tinggi merupakan langkah penting dalam membentuk kawasan sumber/saliran dan struktur telaga dalam wafer semikonduktor. SEN GSD III 90 menangani keperluan ini melalui implantasi ion arus tinggi, dengan boron, fosforus dan arsenik antara spesies dopan yang dikaitkan dengan kelas peralatan ini. Peranan prosesnya tertumpu pada penyampaian dos dopan dan profil implan yang diperlukan untuk pembuatan semikonduktor yang mantap.
Sudut implan amat penting apabila penyaluran mesti dikawal. Kecondongan wafer, ciri-ciri pancaran dan konsistensi dos semuanya mempengaruhi taburan dopan akhir. Platform GSD III 90 dikaitkan dengan pemprosesan wafer 150 mm dan 200 mm, menjadikan persediaan stesen akhir khususnya dan konfigurasi pancaran penting apabila memadankan mesin dengan proses pengeluaran sedia ada.
Spesifikasi Utama SEN GSD III 90
| Pengilang | SEN / Sumitomo Eaton Nova |
|---|---|
| Model | GSD III 90 |
| Gaya Model Alternatif | NV-GSD III-90 |
| Jenis Peralatan | Implan Ion Arus Tinggi |
| Saiz Wafer yang Disokong | 150 mm dan 200 mm, mengikut senarai yang tersedia |
| Kelas Arus Implan | Arus tinggi |
| Konfigurasi Beamline | Sumber yang dipasang, menganalisis konfigurasi magnet dan pecutan mesti disahkan |
| Pemprosesan Wafer | Cakera wafer dan konfigurasi kelompok bergantung pada stesen akhir yang dipasang |
| Sudut Implan | Keupayaan kecondongan dan putaran mesti disahkan daripada mesin yang tersedia |
| Pemantauan Dos | Konfigurasi Faraday dan kawalan dos mesti diperiksa dan dikalibrasi |
| Spesies Proses | Ion yang disokong bergantung pada sumber, kotak gas dan sejarah pancaran |
| Keadaan | Peralatan semikonduktor terpakai |
| Ketersediaan | Tertakluk kepada stok semasa, pemeriksaan dan pengesahan konfigurasi |
