高劑量摻雜是半導體晶圓中形成源/漏區和阱結構的關鍵步驟。 SEN GSD III 90 透過高電流離子注入來滿足這些要求，此類設備常用的摻雜劑包括硼、磷和砷。其製程的核心在於為成熟的半導體製造製程提供所需的摻雜劑量和注入分佈。
當需要控制通道效應時，注入角度尤其重要。晶圓傾斜度、光束特性和劑量一致性都會影響最終的摻雜劑分佈。 GSD III 90 平台適用於 150 毫米和 200 毫米晶圓加工，因此在將設備與現有生產流程相匹配時，其特定的終端站設定和光束線配置至關重要。
SEN GSD III 90 主要規格
| 製造商 | SEN / 住友伊頓 Nova |
|---|---|
| 模型 | GSD III 90 |
| 替代模型風格 | NV-GSD III-90 |
| 設備類型 | 高電流離子注入機 |
| 支援的晶圓尺寸 | 根據現有清單，尺寸為 150 毫米和 200 毫米。 |
| 植入物電流等級 | 高電流 |
| 光束線配置 | 已安裝的源、分析磁鐵和加速度配置必須確認 |
| 晶圓加工 | 晶圓盤和批次配置取決於已安裝的終端站。 |
| 種植角度 | 傾斜和旋轉能力必須透過現有機器進行驗證。 |
| 劑量監測 | 法拉第線圈和劑量控制裝置必須進行檢查和校準。 |
| 製程物種 | 支持離子取決於離子源、氣體箱和光束線歷史。 |
| 狀態 | 二手半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、檢驗和配置確認情況而定 |
