เครื่องมือคลัสเตอร์แบบหลายห้องในตำนาน Applied Materials P5000 ให้ประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ การตกตะกอนไดอิเล็กทริก PECVD สำหรับกระบวนการผลิตเวเฟอร์ขนาด 150 มม. และ 200 มม. เครื่องนี้สร้างฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ ฟิล์ม TEOS ออกไซด์ และฟิล์มออกซีไนไตรด์ที่อุณหภูมิการประมวลผลต่ำ ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับชั้นพาสซิเวชันและชั้นไดอิเล็กทริกคั่นกลาง
โครงสร้างแบบล็อคโหลดสุญญากาศช่วยปกป้องเวเฟอร์จากการปนเปื้อนจากสภาพแวดล้อมภายนอก ห้องกระบวนการอิสระช่วยให้สามารถทำงานแบบขนานได้ โดยมีการควบคุมพลาสมา RF ที่เสถียรเพื่อรักษาความหนาและความสม่ำเสมอของฟิล์มในทุกชุดการผลิต สามารถปรับแต่งการกำหนดค่าห้องต่างๆ เพื่อให้เข้ากับสูตรการตกตะกอนที่หลากหลายได้
แพลตฟอร์มที่ได้รับการยอมรับอย่างดีนี้ได้รับการสนับสนุนด้านอะไหล่อย่างมากมายทั่วโลก โครงสร้างแบบโมดูลาร์ช่วยลดเวลาหยุดซ่อมแซมและทำให้เป็นตัวเลือกที่ใช้งานได้จริงสำหรับโรงงานผลิตชิปเทคโนโลยีขั้นสูงที่ต้องการความสามารถในการสร้างฟิล์มบางที่เชื่อถือได้
ข้อมูลจำเพาะหลักของ Applied Materials P5000 PECVD
| ผู้ผลิต | วัสดุประยุกต์ |
|---|---|
| แพลตฟอร์ม | ความแม่นยำ 5000 |
| แบบอย่าง | พี5000 พีซีวีดี |
| ประเภทอุปกรณ์ | ระบบ PECVD แบบหลายห้องสำหรับเวเฟอร์เดี่ยว |
| ขนาดเวเฟอร์ที่ระบุไว้ | เวเฟอร์ขนาด 150 มม. และ 200 มม. |
| ความจุแพลตฟอร์มที่เผยแพร่ | ห้องกระบวนการแยกกันได้สูงสุดสี่ห้อง ขึ้นอยู่กับการกำหนดค่า |
| รายการวัสดุฟิล์ม | SiO2 และ SiN |
| เอกสาร PECVD ที่เผยแพร่เพิ่มเติม | ซิลิคอนอสัณฐานบนระบบที่กำหนดค่าอย่างเหมาะสม |
| อุณหภูมิใช้งานที่เผยแพร่ | โดยทั่วไปแล้ว อุณหภูมิจะอยู่ที่ประมาณ 200–400°C สำหรับการตั้งค่า PECVD ทั่วไป ช่วงอุณหภูมิที่เฉพาะเจาะจงสำหรับแต่ละห้องจะต้องได้รับการยืนยันอีกครั้ง |
| การประมวลผลเวเฟอร์ | การประมวลผลแบบลำดับบนเวเฟอร์เดี่ยว |
| สถานะรายการแหล่งที่มา | ลงประกาศขายแล้ว โปรดตรวจสอบจำนวนและรายละเอียดอีกครั้ง |
| เงื่อนไข | อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์มือสอง |
| ความพร้อมใช้งาน | ขึ้นอยู่กับสต็อกปัจจุบัน การกำหนดค่าห้อง และการยืนยันการตรวจสอบ |
