作為一款傳奇的多腔室集群式刀具，Applied Materials P5000 可提供可靠的切削性能。 PECVD介電沉積 適用於 150mm 和 200mm 晶圓生產。此製程可在較低的加工溫度下生成氮化矽、TEOS 氧化物和氮氧化物薄膜，廣泛用於鈍化層和層間介電層。
其真空裝載鎖定結構可保護晶圓免受環境污染。獨立的製程腔室支援並行操作，穩定的射頻等離子體控制可確保各批次薄膜厚度和均勻性的一致性。不同的腔室配置可根據不同的沉積製程進行客製化。
該成熟平台在全球範圍內擁有充足的備件支援。其模組化設計降低了維修停機時間，使其成為需要可靠薄膜沉積能力的成熟製程晶圓廠的實用選擇。
應用材料公司 P5000 PECVD 主要技術規格
| 製造商 | 應用材料 |
|---|---|
| 平台 | 精密5000 |
| 模型 | P5000 PECVD |
| 設備類型 | 單晶圓多腔室PECVD系統 |
| 所列的晶圓尺寸 | 150毫米和200毫米晶圓 |
| 已發布平台容量 | 依配置不同，最多可設定四個獨立的工藝腔室。 |
| 列出的薄膜材料 | SiO2 和 SiN |
| 其他已發表的PECVD資料 | 在適當配置的系統上採用非晶矽 |
| 公佈的工作溫度 | 對於典型的PECVD配置，溫度約為200–400°C；具體溫度範圍需依反應室狀況確認。 |
| 晶圓加工 | 單晶圓順序處理 |
| 來源列表狀態 | 已掛牌出售；目前數量和配置需重新確認。 |
| 狀態 | 二手半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、腔室配置和檢驗確認情況而定 |
