Alat kluster berbilang ruang yang legenda, Applied Materials P5000 memberikan andal Pemendapan dielektrik PECVD untuk pengeluaran wafer 150mm dan 200mm. Ia menghasilkan filem silikon nitrida, TEOS oksida dan oksi-nitrida pada suhu pemprosesan yang rendah, digunakan secara meluas untuk pempasifan dan lapisan dielektrik antara lapisan.
Seni bina kunci beban vakumnya melindungi wafer daripada pencemaran ambien. Ruang proses bebas membolehkan operasi selari, dengan kawalan plasma RF yang stabil untuk mengekalkan ketebalan dan keseragaman filem yang konsisten merentasi kelompok. Konfigurasi ruang yang berbeza boleh disesuaikan untuk dipadankan dengan pelbagai resipi pemendapan.
Platform yang mantap ini menikmati sokongan alat ganti yang banyak di seluruh dunia. Binaan modularnya mengurangkan masa henti pembaikan dan menjadikannya pilihan praktikal untuk fabrik nod matang yang memerlukan kapasiti pemendapan filem nipis yang boleh dipercayai.
Spesifikasi Utama Bahan Gunaan P5000 PECVD
| Pengilang | Bahan Gunaan |
|---|---|
| Platform | Ketepatan 5000 |
| Model | P5000 PECVD |
| Jenis Peralatan | Sistem PECVD Berbilang Ruang Wafer Tunggal |
| Saiz Wafer Tersenarai | Wafer 150 mm dan 200 mm |
| Kapasiti Platform yang Diterbitkan | Sehingga empat ruang proses berasingan, bergantung pada konfigurasi |
| Bahan Filem Tersenarai | SiO2 dan SiN |
| Bahan PECVD Tambahan yang Diterbitkan | Silikon amorfus pada sistem yang dikonfigurasikan dengan sewajarnya |
| Suhu Operasi yang Diterbitkan | Kira-kira 200–400°C untuk konfigurasi PECVD yang mewakili; julat khusus ruang mesti disahkan |
| Pemprosesan Wafer | Pemprosesan berjujukan wafer tunggal |
| Status Penyenaraian Sumber | Disenaraikan untuk dijual; kuantiti dan konfigurasi semasa perlu disahkan semula |
| Keadaan | Peralatan semikonduktor terpakai |
| Ketersediaan | Tertakluk kepada stok semasa, konfigurasi ruang dan pengesahan pemeriksaan |
