TRANG CHỦ > Các sản phẩm > Thiết bị bán dẫn hậu kỳ > Thiết bị lắp ráp và liên kết > Máy hàn chip lật >

Besi Datacon 8800 FC QUANTUM Máy dán chip lật nâng cao

BESI Datacon 8800 Advanced: Độ chính xác định vị ±2 µm @ 3σ, tốc độ lên đến 10.000 UPH, xử lý wafer 8"–12", lực liên kết tiêu chuẩn 2–50 N (tùy chọn đầu TC 250 N). Ba biến thể — FC QUANTUM, CHAMEO và TC advanced — cùng sử dụng một nền tảng cho quá trình hàn chảy hàng loạt, hàn FO-WLP đa chip và liên kết nén nhiệt.

Besi Datacon 8800 FC QUANTUM Advanced Flip Chip Bonder HÌNH ẢNH THIẾT BỊ
Đánh giá cấu hình Mẫu mã và các tùy chọn đã cài đặt
Nguồn cung mới/đã qua sử dụng Tùy thuộc vào tình trạng sẵn có của dự án
Giao hàng toàn cầu Đánh giá dựa trên điểm đến
Yêu cầu báo giá kỹ thuật (Technical RFQ) Phù hợp gói hàng và quy trình

Nền tảng máy hàn chip lật BESI Datacon 8800 Advanced hỗ trợ các ứng dụng hàn chảy hàng loạt, hàn nén nhiệt và lắp ráp đa chip. Được xây dựng trên nền tảng 8800 đã được chứng minh, nó có kiến ​​trúc điều khiển chuyển động mới, sức mạnh tính toán cao hơn và khả năng điều khiển quỹ đạo được nâng cao để giảm độ trễ và thu hẹp phạm vi quy trình. Nền tảng này chuyển đổi giữa hàn chip lật úp và hàn không lật ngửa thông qua điều khiển công thức. Các thiết kế bao bì khác nhau có thể được xử lý mà không cần thay đổi cơ học.

Độ chính xác khi đặt chip có thể cấu hình ở ba mức: ±5 µm, ±3 µm hoặc ±2 µm @ 3σ. Năng suất đạt đỉnh 10.000 UPH ở chế độ hàn chảy lại hàng loạt (mass reflow), tùy thuộc vào ứng dụng. Hệ thống chấp nhận chip úp mặt từ 0,3 mm đến 30 mm (40 mm với bộ kit tùy chọn), chip ngửa mặt từ 2,5 mm đến 25 mm và độ dày chip từ 50 µm đến 3 mm. Nền tảng này xử lý các tấm wafer từ 8 inch đến 12 inch được gắn trên khung wafer, cùng với các chất nền dạng dải, dạng thuyền và dạng tấm có kích thước lên đến 340 mm.

Phiên bản Advanced bao gồm ba cấu hình khác nhau trên cùng nền tảng 8800: FC QUANTUM advanced dành cho công nghệ hàn chảy hàng loạt (mass reflow), CHAMEO nâng cao Dành cho đóng gói đa chip và đóng gói cấp wafer dạng fan-out, và TC advanced dành cho liên kết nén nhiệt trong các ứng dụng 2.5D/3D và TSV. Cả ba đều dùng chung nền tảng chuyển động và điều khiển cốt lõi nhưng khác nhau về đầu liên kết, hệ thống trợ dung và khả năng điều khiển quy trình. 

BESI Datacon 8800 Advanced Flip Chip Die Bonder

Thông số kỹ thuật chính

Công nghệ cốt lõiThông số kỹ thuật
Quá trình liên kếtChip lật hàn khối
Độ chính xác vị trí±5 μm @ 3σ
Thông lượng tối đaLên đến 10.000 UPH
Phạm vi kích thước khuôn0,3–20 mm
Hệ thống xử lý chất trợ dungHệ thống chất trợ dung gốc thủy tinh CRYSTAL
Điều khiển chuyển độngLọc đường dẫn thông minh để giảm rung động

Thông số kỹ thuật có thể thay đổi tùy thuộc vào cấu hình máy và yêu cầu ứng dụng.

Sự khác biệt về cấu hình

Ba phiên bản Advanced đều sử dụng cùng một nền tảng nhưng khác nhau về đầu hàn, hệ thống trợ dung và trọng tâm quy trình:

Tính năngFC QUANTUM nâng caoCHAMEO nâng caoTC nâng cao
Quá trình chínhChip lật hàn chảy hàng loạtĐa chip / FO-WLPLiên kết nén nhiệt
Bond HeadĐầu FC tiêu chuẩnĐầu FC tiêu chuẩn7 trục / 250 N
Biến đổiChất trợ hàn gốc thủy tinh CRYSTALKhông bắt buộcKhông áp dụng
Sự chính xác±5 µm @ 3σ±5 µm / 3 µm @ 3σ5 / 3 / 2 µm @ 3σ
Ứng dụng chínhTái chảy khối lượng UPH caoFO-WLP, đa chip2.5D/3D, TSV, TC-CUF

Máy Datacon 8800 Advanced không phải là một máy duy nhất — nó là một nền tảng với ba biến thể quy trình riêng biệt, nhiều cấp độ chính xác và nhiều tùy chọn về lực liên kết và xử lý vật liệu. Hai máy cùng tên model có thể khác nhau đủ để tạo nên hoặc phá vỡ sự phù hợp của quy trình. Bài học thực tiễn cho người mua: trước tiên hãy xác định biến thể, sau đó kiểm tra cấp độ chính xác, đầu liên kết và khả năng xử lý vật liệu so với yêu cầu sản xuất thực tế của bạn. Điểm mạnh của nền tảng này là tính linh hoạt, nhưng chính tính linh hoạt đó cũng có nghĩa là một máy đã qua sử dụng cần được đánh giá dựa trên cấu hình cụ thể của nó, chứ không chỉ dựa vào số hiệu model.