BESI Datacon 8800 Advanced 倒裝晶片鍵結平台可運作大規模回流焊接、熱壓鍵結和多晶片組裝應用。該平台基於成熟的 8800 系列平台打造，採用全新的運動控制架構、更強大的運算能力和更精準的軌跡控制，從而降低延遲並縮小製程視窗。平台可透過配方控制在面朝下的倒裝晶片鍵合和麵朝上的非倒裝晶片鍵合之間切換。無需機械切換即可處理不同的封裝設計。
貼片精準度可配置為三個等級：±5 µm、±3 µm 或 ±2 µm（3σ）。在回流焊倒裝晶片模式下，吞吐量峰值可達 10,000 UPH，具體數值取決於應用。此平台可處理 0.3 mm 至 30 mm（選配套件後可達 40 mm）的面朝下晶片、2.5 mm 至 25 mm 的面朝上晶片，以及 50 µm 至 3 mm 的晶片厚度。此平台可處理安裝在晶圓架上的 8 吋至 12 吋晶圓，以及最大尺寸為 340 mm 的長條、舟形和麵板基板。
Advanced 系列涵蓋了同一 8800 平台下的三種不同配置：用於大規模回流焊倒裝晶片的 FC QUANTUM advanced、 CHAMEO 高級 TC Advanced 適用於多晶片和扇出型晶圓級封裝，而 TC Advanced 則適用於 2.5D/3D 和 TSV 應用中的熱壓鍵結。這三款產品均採用相同的核心運動和控制平台，但在鍵合頭、助焊劑系統和製程控制功能方面有所不同。
主要技術規格
| 核心技術 | 規格 |
|---|---|
| 鍵合過程 | 大規模回流焊倒裝晶片 |
| 放置精度 | ±5 μm @ 3σ |
| 最大吞吐量 | 最高可達每小時 10,000 單位流量。 |
| 模具尺寸範圍 | 0.3–20 毫米 |
| 通量處理系統 | CRYSTAL 玻璃基助熔劑系統 |
| 運動控制 | 用於減振的智慧路徑濾波 |
具體規格可能因機器配置和應用要求而異。
配置差異
這三款高級型號採用相同的平台，但在鍵合頭、助熔劑系統和製程重點方面有所不同：
| 特徵 | FC QUANTUM 進階版 | CHAMEO 高級 | TC 高級版 |
|---|---|---|---|
| 初級過程 | 大規模回流倒裝晶片 | 多晶片/光纖到府 (FO-WLP) | 熱壓黏合 |
| 債券頭 | 標準FC頭 | 標準FC頭 | 7軸/250牛頓 |
| 通量 | 晶體玻璃基助熔劑 | 選修的 | 不適用 |
| 準確性 | ±5 µm @ 3σ | ±5 µm / 3 µm @ 3σ | 5 / 3 / 2 微米 @ 3σ |
| 主要應用 | 高速質量回流 | FO-WLP，多晶片 | 2.5D/3D、TSV、TC-CUF |
Datacon 8800 Advanced 並非單一設備，而是一個平台，它擁有三種不同的製程變體、多種精度等級以及豐富的黏合力和處理選項。即使是同一型號的兩台設備，其差異也可能足以決定製程匹配的成敗。因此，對於買家而言，務必先確定特定的變體，然後根據實際生產需求，驗證精度等級、黏合頭和基材處理方式。該平台的優勢在於其靈活性，但也正因如此，評估二手設備時必須考慮其具體配置，而不僅僅是型號。
