ASMPT ALSI LASER1205 cho phép cắt và tạo rãnh bằng laser đa chùm tia chính xác. Hệ thống quang học laser đa chùm tia độc quyền và công nghệ điều khiển chuyển động từng bước trên tấm wafer giúp giảm thiểu hư hại do nhiệt trong khi vẫn đảm bảo năng suất cao.
Bằng cách xử lý đồng thời nhiều chùm tia laser, năng lượng được phân bố đều dọc theo đường cắt, nhờ đó giảm thiểu sự tích tụ nhiệt cục bộ; phương pháp này bảo vệ hiệu quả các lớp điện môi có hằng số điện môi thấp và các chip mỏng, ngăn ngừa nứt vỡ hoặc các vấn đề về cấu trúc. Hệ thống thực hiện giám sát thời gian thực đường cắt trong quá trình xử lý để phát hiện sớm các khuyết tật và giảm thiểu phế phẩm. Hệ thống phù hợp với cả wafer trần và wafer được gắn trên khung băng cắt, và hỗ trợ nhiều độ dày chất nền khác nhau.
Các tính năng chính:
Công nghệ đa chùm tia: Quy trình laser đa chùm tia được cấp bằng sáng chế cho phép đạt được chiều rộng cắt nhỏ hơn 12μm trên tấm silicon dày 100μm. Công suất thấp trên mỗi chùm tia nhưng nhiều chùm tia cho phép tốc độ loại bỏ vật liệu cao với vùng ảnh hưởng nhiệt tối thiểu (HAZ < 2μm).
Khả năng xử lý wafer siêu mỏng: Xử lý các wafer có độ dày từ 10μm đến 250μm với độ chính xác định vị và khả năng tái tạo nhỏ hơn 1,5μm — hoạt động nhanh hơn khoảng 50% so với các phương pháp cắt laser thông thường.
Công nghệ V-Process được cấp bằng sáng chế cho việc cắt lát toàn bộ: Cho phép cắt lát toàn bộ các tấm wafer Si Low-K (mỏng) bao gồm DAF hoặc FOW trong khi vẫn đạt được độ bền chip cao (450-500MPa) và độ gờ thấp (<5μm). Một bước xử lý duy nhất loại bỏ các bước sản xuất bổ sung cần thiết cho các công nghệ cắt lát DBG hoặc lai.
Khái niệm thanh trượt chính xác: Khái niệm máy khắc wafer độc đáo cho phép độ chính xác cao và khả năng tái tạo kết quả trong mọi điều kiện xử lý.
Thông số kỹ thuật:
| Thông số kỹ thuật | Đơn vị | Giá trị |
|---|---|---|
| Phương pháp xử lý | – | Cắt bằng laser đa tia |
| Phạm vi độ dày wafer | μm | 10 – 250 |
| Độ chính xác định vị | μm | < 1.5 |
| Độ rộng vết cắt (100μm Si) | μm | < 12 |
| Vùng ảnh hưởng nhiệt (HAZ) | μm | < 2 |
| Bước sóng tia cực tím | nm | 355 |
| Bước sóng hồng ngoại | nm | 1064 |
| Kích thước wafer | inch | Tối đa 12 |
Ứng dụng:
Lý tưởng cho việc tách linh kiện điện tử SiC, cắt chip RF GaAs, tách tấm wafer mỏng Low-K, cắt linh kiện MEMS và các ứng dụng đóng gói tiên tiến yêu cầu giảm thiểu hư hại do nhiệt.
