ASMPT ALSI LASER1205は、高精度なマルチビームレーザーダイシングおよびグルービング加工を実現します。独自のマルチビームレーザー光学系とウェハステップモーション制御技術により、熱による損傷を最小限に抑えながら、高いスループットを確保します。
複数のレーザービームを同時に照射することで、ダイシング経路に沿ってエネルギーが均一に分散され、局所的な熱蓄積が抑制されます。この方式は、脆弱な低誘電率層や薄いダイを効果的に保護し、亀裂や構造的な問題の発生を防ぎます。本システムは、加工中にダイシング溝をリアルタイムで監視し、欠陥を早期に検出して不良品を最小限に抑えます。ベアウェーハとダイシングテープフレームにマウントされたウェーハの両方に対応し、幅広い基板厚をサポートします。
主な特徴：
マルチビーム技術：特許取得済みのマルチビームレーザー加工により、100μm厚のシリコンウェハ上で12μm未満の切断幅を実現します。ビームあたりの出力は低いものの、多数のビームを用いることで、熱影響部（HAZ）を最小限に抑えつつ、高い材料除去率を実現します（HAZ < 2μm）。
超薄型ウェハー加工能力：厚さ10μmから250μmまでのウェハーを、1.5μm未満の位置決め精度と再現性で加工できます。従来のレーザーダイシング方式に比べて約50%高速です。
特許取得済みのVプロセスによるフルカットダイシング：DAFやFOWを含む低誘電率（薄型）Siウェハのフルカットダイシングを可能にし、高いダイ強度（450～500MPa）と低いバリ（5μm未満）を実現します。単一のプロセスステップで、DBGやハイブリッドダイシング技術で必要となる追加の製造工程が不要になります。
高精度スライダーコンセプト：独自のウェハステッパーコンセプトにより、あらゆる処理条件において高い精度と再現性を実現します。
技術仕様：
| 仕様 | ユニット | 価値 |
|---|---|---|
| 処理方法 | – | マルチビームレーザーダイシング |
| ウェーハ厚さ範囲 | μm | 10 – 250 |
| 位置決め精度 | μm | < 1.5 |
| 切断幅（100μm Si） | μm | < 12 |
| 熱影響部（HAZ） | μm | < 2 |
| 紫外線波長 | nm | 355 |
| 赤外線波長 | nm | 1064 |
| ウェハーサイズ | インチ | 最大12人 |
アプリケーション:
SiCパワーデバイスの分離、GaAs RFチップのダイシング、低誘電率薄膜ウェハの分離、MEMSデバイスの切断、および熱損傷を最小限に抑える必要がある高度なパッケージング用途に最適です。
