ASMPT ALSI LASER1205 membolehkan pemotongan dan alur laser berbilang pancaran ketepatan. Optik laser berbilang pancaran proprietarinya dan teknologi kawalan gerakan langkah wafer meminimumkan kerosakan haba sambil memastikan daya pemprosesan yang tinggi.
Dengan memproses dengan berbilang pancaran laser secara serentak, tenaga diagihkan secara sekata di sepanjang laluan pemotongan dadu, sekali gus mengurangkan pengumpulan haba setempat; pendekatan ini berkesan melindungi lapisan dielektrik k rendah yang rapuh dan acuan nipis, mencegah retakan atau masalah integriti struktur. Sistem ini melakukan pemantauan masa nyata kerf pemotongan dadu semasa pemprosesan untuk mengesan kecacatan lebih awal dan meminimumkan skrap. Ia sesuai untuk kedua-dua wafer kosong dan wafer yang dipasang pada bingkai pita pemotongan dadu, dan menyokong pelbagai ketebalan substrat.
Ciri-ciri Utama:
Teknologi Berbilang Pancaran: Proses laser berbilang pancaran yang dipatenkan mencapai lebar pemotongan kurang daripada 12μm pada wafer silikon 100μm. Kuasa rendah setiap pancaran tetapi banyak pancaran membolehkan kadar penyingkiran bahan yang tinggi dengan zon terjejas haba yang minimum (HAZ < 2μm).
Keupayaan Wafer Ultra Nipis: Memproses wafer dengan ketebalan antara 10μm hingga 250μm dengan ketepatan kedudukan dan kebolehulangan kurang daripada 1.5μm — beroperasi kira-kira 50% lebih pantas daripada kaedah pemotongan dadu laser konvensional.
Proses-V Berpaten untuk Pemotongan Dadu Penuh: Membolehkan pemotongan dadu penuh wafer Si Rendah-K (nipis) termasuk DAF atau FOW sambil mencapai kekuatan acuan tinggi (450-500MPa) dan burr rendah (<5μm). Satu langkah proses menghapuskan langkah pengeluaran tambahan yang diperlukan oleh teknologi pemotongan dadu DBG atau hibrid.
Konsep Gelongsor Ketepatan: Konsep stepper wafer yang unik membolehkan ketepatan dan kebolehulangan yang tinggi merentasi semua keadaan pemprosesan.
Spesifikasi Teknikal:
| Spesifikasi | Unit | Nilai |
|---|---|---|
| Kaedah Pemprosesan | – | Pemotongan Dadu Laser Berbilang Rasuk |
| Julat Ketebalan Wafer | μm | 10 – 250 |
| Ketepatan Kedudukan | μm | < 1.5 |
| Lebar Potongan (100μm Si) | μm | < 12 |
| Zon Terjejas Haba (HAZ) | μm | < 2 |
| Panjang Gelombang UV | nm | 355 |
| Panjang Gelombang IR | nm | 1064 |
| Saiz Wafer | inci | Sehingga 12 |
Aplikasi:
Ideal untuk singulasi peranti kuasa SiC, pemotongan cip RF GaAs, pemisahan wafer nipis Low-K, pemotongan peranti MEMS dan aplikasi pembungkusan termaju yang memerlukan kerosakan haba minimum.
