เครื่อง ASMPT ALSI LASER1205 ช่วยให้สามารถตัดและเซาะร่องด้วยเลเซอร์หลายลำแสงได้อย่างแม่นยำ เทคโนโลยีเลนส์เลเซอร์หลายลำแสงที่เป็นกรรมสิทธิ์และการควบคุมการเคลื่อนที่แบบสเต็ปปิ้งของแผ่นเวเฟอร์ช่วยลดความเสียหายจากความร้อนในขณะที่ยังคงรักษาประสิทธิภาพการผลิตสูง
ด้วยการประมวลผลโดยใช้ลำแสงเลเซอร์หลายลำพร้อมกัน พลังงานจะกระจายอย่างสม่ำเสมอไปตามเส้นทางการตัด ทำให้ลดการสะสมความร้อนเฉพาะจุด วิธีนี้ช่วยปกป้องชั้นไดอิเล็กทริกที่มีค่า k ต่ำและชิ้นส่วนบางๆ ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ป้องกันการแตกร้าวหรือปัญหาด้านโครงสร้าง ระบบจะตรวจสอบรอยตัดแบบเรียลไทม์ระหว่างการประมวลผลเพื่อตรวจจับข้อบกพร่องตั้งแต่เนิ่นๆ และลดของเสียให้น้อยที่สุด เหมาะสำหรับทั้งเวเฟอร์เปล่าและเวเฟอร์ที่ติดตั้งบนเฟรมเทปตัด และรองรับความหนาของวัสดุรองรับได้หลากหลาย
คุณสมบัติหลัก:
เทคโนโลยีลำแสงหลายลำ: กระบวนการเลเซอร์ลำแสงหลายลำที่ได้รับการจดสิทธิบัตรแล้ว ช่วยให้สามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนขนาด 100 ไมโครเมตรได้กว้างน้อยกว่า 12 ไมโครเมตร การใช้พลังงานต่อลำแสงต่ำ แต่มีจำนวนลำแสงมาก ทำให้สามารถกำจัดวัสดุได้ในอัตราสูง โดยมีบริเวณที่ได้รับผลกระทบจากความร้อน (HAZ < 2 ไมโครเมตร) น้อยที่สุด
ความสามารถในการตัดเวเฟอร์บางพิเศษ: สามารถประมวลผลเวเฟอร์ที่มีความหนาตั้งแต่ 10 ไมโครเมตรถึง 250 ไมโครเมตร ด้วยความแม่นยำในการวางตำแหน่งและการทำซ้ำได้น้อยกว่า 1.5 ไมโครเมตร ซึ่งทำงานได้เร็วกว่าวิธีการตัดด้วยเลเซอร์แบบเดิมประมาณ 50%
กระบวนการ V-Process ที่ได้รับการจดสิทธิบัตรสำหรับการตัดแบบเต็มแผ่น: ช่วยให้สามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน Low-K (บาง) ได้แบบเต็มแผ่น รวมถึง DAF หรือ FOW ในขณะที่ยังคงความแข็งแรงของชิ้นส่วนสูง (450-500 MPa) และมีครีบต่ำ (<5 μm) ขั้นตอนการผลิตเพียงขั้นตอนเดียวช่วยลดขั้นตอนการผลิตเพิ่มเติมที่จำเป็นสำหรับเทคโนโลยีการตัดแบบ DBG หรือแบบไฮบริด
แนวคิดตัวเลื่อนความแม่นยำสูง: แนวคิดสเต็ปเปอร์เวเฟอร์ที่เป็นเอกลักษณ์นี้ช่วยให้ได้ความแม่นยำและความสม่ำเสมอสูงในทุกสภาวะการประมวลผล
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค:
| ข้อกำหนด | หน่วย | ค่า |
|---|---|---|
| วิธีการประมวลผล | – | การตัดด้วยเลเซอร์หลายลำแสง |
| ช่วงความหนาของเวเฟอร์ | ไมโครเมตร | 10 – 250 |
| ความแม่นยำในการกำหนดตำแหน่ง | ไมโครเมตร | < 1.5 |
| ความกว้างในการตัด (ซิลิคอน 100 ไมโครเมตร) | ไมโครเมตร | < 12 |
| เขตที่ได้รับผลกระทบจากความร้อน (HAZ) | ไมโครเมตร | < 2 |
| ความยาวคลื่น UV | นาโนเมตร | 355 |
| ความยาวคลื่นอินฟราเรด | นาโนเมตร | 1064 |
| ขนาดเวเฟอร์ | นิ้ว | สูงสุด 12 |
การใช้งาน:
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการแยกชิ้นส่วนอุปกรณ์ไฟฟ้า SiC, การตัดชิป RF GaAs, การแยกเวเฟอร์บาง Low-K, การตัดอุปกรณ์ MEMS และการใช้งานด้านบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงที่ต้องการความเสียหายจากความร้อนน้อยที่สุด
