Máy gắn wafer Nitto DR8500III thực hiện dán băng keo bảo vệ tự động lên wafer 8 inch (200mm) cho quy trình mài mặt sau. Việc phân bổ lực căng chủ động trên bề mặt wafer duy trì độ bám dính băng keo ổn định, giảm ứng suất mẫu, biến dạng chất nền và độ bám dính không đồng đều thường xảy ra trong các quy trình làm mỏng mặt sau.
Công nghệ cán màng lõi của Nitto DR8500III
Hệ thống điều khiển băng tải điện áp thấp động
Cấu trúc cán màng có độ căng thấp liên tục điều chỉnh lực kéo băng keo trong suốt chu kỳ liên kết. Điều này hạn chế biến dạng cơ học trên các tấm wafer có cấu trúc mạch điện mặt trước tinh vi, ngăn ngừa sự dịch chuyển mạch và các vết nứt nhỏ do lực căng băng keo không đều gây ra. Sự điều chỉnh linh hoạt này mang lại áp suất tiếp xúc ổn định mà không làm căng quá mức lớp màng bảo vệ.
Mô-đun kiểm tra độ võng băng keo trước khi tiếp xúc
Trước khi băng dính tiếp xúc với bề mặt wafer, hệ thống kiểm tra độ võng tích hợp sẽ giám sát độ phẳng của băng dính trong thời gian thực. Nó xác định các đoạn băng dính bị chùng hoặc lệch và kích hoạt các điều chỉnh trước khi quá trình cán màng bắt đầu. Việc kiểm tra chủ động này giúp ngăn chặn các khuyết tật thường gặp bao gồm bọt khí, nếp nhăn và liên kết không hoàn chỉnh, bảo toàn tính toàn vẹn của wafer trong các giai đoạn mài tiếp theo.
Điều chỉnh giao diện nhiệt
Cả bàn gắn và con lăn ép đều hỗ trợ điều chỉnh nhiệt độ độc lập. Người vận hành thiết lập các giá trị nhiệt độ giao diện để phù hợp với các vật liệu băng bảo vệ khác nhau, ổn định dòng chảy của chất kết dính và duy trì sự tiếp xúc giao diện đồng đều trong suốt quá trình sản xuất hàng loạt. Các thông số nhiệt có thể được lưu vào các công thức riêng lẻ để có kết quả lặp lại.
Khả năng tương thích kích thước wafer và tính linh hoạt trong sản xuất
Nền tảng này sử dụng cơ cấu xử lý dạng mô-đun để hỗ trợ nhiều đường kính wafer khác nhau mà không cần phải sửa đổi phần cứng đáng kể. Wafer 8 inch (200mm) là mục tiêu chính, trong khi tính năng hỗ trợ gốc bao gồm các chất nền 6 inch và 5 inch. Một mô-đun xử lý tùy chọn mở rộng khả năng lên đến wafer 4 inch, mang lại cho các nhà máy sản xuất sự linh hoạt hơn cho các dây chuyền sản xuất nhiều sản phẩm. Thời gian thay đổi thiết bị được giảm thiểu thông qua việc chuyển đổi công thức thay vì cấu hình lại cơ khí phức tạp.
Tích hợp khả năng truy xuất nguồn gốc quy trình và tự động hóa nhà máy
Mỗi chu kỳ cán màng đều ghi lại đầy đủ nhật ký thông số để đảm bảo khả năng truy xuất nguồn gốc từ đầu đến cuối. Tất cả dữ liệu quan trọng trong quá trình vận hành đều được lưu trữ và có thể xuất ra để phục vụ kiểm toán chất lượng và phân tích quy trình. Giao diện SECS/GEM tùy chọn cho phép giao tiếp hai chiều với hệ thống máy chủ của nhà máy, phù hợp với quy trình làm việc tự động hoàn toàn trong nhà máy sản xuất chất bán dẫn. Người vận hành quản lý công thức và theo dõi trạng thái chu kỳ thông qua giao diện người dùng màn hình cảm ứng (HMI), giảm thiểu việc điều chỉnh thủ công và giảm lỗi do con người trong quá trình xử lý hàng loạt lặp đi lặp lại.
Thông số kỹ thuật chính của Nitto DR8500III
tờ giấy
| Loại | Tham số | Chi tiết |
|---|---|---|
| Hiệu suất quy trình | Cơ chế cán màng | Liên kết băng keo điện trở thấp động, với tính năng phát hiện độ võng trước khi cán màng. |
| Kiểm soát nhiệt độ | Điều khiển nhiệt độ có thể cấu hình cho bàn và con lăn ép. | |
| Quy trình mục tiêu | Ứng dụng băng keo bảo vệ wafer cho quá trình mài mặt sau. | |
| Khả năng xử lý | Kích thước wafer chính | 8 inch (200mm) |
| Phạm vi wafer được hỗ trợ | 8”, 6”, 5”; mô-đun điều khiển 4 inch tùy chọn | |
| Loại chất nền | Các tấm silicon có hoa văn dùng để làm mỏng bao bì | |
| Tự động hóa & Tuân thủ | Ghi dữ liệu | Ghi chép thông số quy trình toàn chu kỳ để đảm bảo khả năng truy xuất nguồn gốc. |
| Giao diện máy chủ | Tùy chọn giao tiếp máy chủ nhà máy SECS/GEM | |
| Tiêu chuẩn an toàn | Đạt tiêu chuẩn SEMI S2/S8, CE. |
Các kịch bản ứng dụng điển hình cho việc mài mặt sau của tấm wafer 200mm
Máy dán băng keo 8 inch này cân bằng giữa năng suất và độ chính xác của quá trình cán màng cho sản xuất mỏng wafer và đóng gói ở quy mô trung bình. Nó xử lý việc sản xuất các thiết bị điện tử công suất, MEMS và thiết bị logic, nơi các cấu trúc được tạo hình ở mặt trước cần được bảo vệ cẩn thận trong quá trình mài mặt sau. Môi trường cán màng được kiểm soát duy trì năng suất ổn định ngay cả với các wafer 200mm mỏng và dễ bị cong vênh.
