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Besi Esec 2100 FC hS 플립 칩 본더

Besi Esec 2100 FC hS: 8µm @ 3σ 위치 정확도, 플럭스 침지 및 전체 검사 포함 최대 12,000 UPH. Phi-Y 모션, 슬라이드 트랙 플럭싱, 유사 X선 1차 다이 정렬 및 실시간 접촉 모니터링 기능을 갖춘 플립칩 대량 리플로우 본더. 0.2mm~20mm 다이, 4톤 웨이퍼 처리 가능

Besi Esec 2100 FC hS Flip Chip Bonder 장비 이미지
구성 검토 모델 및 설치된 옵션
신규/중고 공급 프로젝트 가능 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
글로벌 배송 목적지 기반 평가
기술 견적 요청 패키지 및 프로세스 매칭

Besi Esec 2100 FC hS 고속 플립칩 본더는 웨이퍼 또는 와플 팩에서 다이를 집어 올립니다. 슬라이드 딥 시스템을 통해 플럭스를 도포하고 범프 정렬 검증 후 다이를 리드 프레임 또는 적층 기판에 배치합니다. 이 공정은 택 본딩으로 시작되며, 최종 전기 연결은 후속 리플로우 단계에서 이루어집니다.

고정밀 모드에서 배치 정확도는 3σ 기준 8µm에 도달하며, 처리량은 시간당 최대 12,000개(UPH)입니다. 이 처리량에는 플럭스 침지 및 접합 후 전체 검사가 포함됩니다. 비용에 민감한 대량 생산을 목표로 설계된 8µm 정확도는 가동 시간이 서브마이크론 정밀도보다 더 중요한 생산 요구 사항을 충족합니다.

이 플랫폼은 회전 정렬과 Y축 이동을 하나의 동기화된 움직임으로 결합하는 Phi-Y 모션 개념을 사용합니다. 특허받은 슬라이딩 플럭스 유닛을 통해 다이와 카메라가 독립적으로 움직이므로 플럭스 침지 및 범프 정렬이 순차적으로가 아닌 병렬로 진행됩니다. 유사 X선 정렬은 첫 번째 다이의 정확한 위치 지정을 지원하고 반복적인 시행착오를 없애줍니다. 공정 모니터링에는 자동 플럭스 마크 검사 및 실시간 접촉 감지 기능이 포함되어 접합 주기 동안 냉접착 및 불량한 습윤성을 감지합니다.

2100 FC hS는 0.2mm(소형 다이 키트 사용 시)부터 20mm까지의 다이 크기를 처리할 수 있습니다. 4인치에서 12인치 웨이퍼와 6/8/12인치 리드 프레임을 지원합니다. 스트립형 부품 생산 시에는 SDH-84fc 기판 핸들러와 함께 사용되는 경우가 많습니다. 일반적인 적용 분야로는 FCCSP, FCBGA, FC-SIP, FC-MIS, FCOL 및 CSP-LED와 같은 신흥 패키지가 있습니다.

해당 플랫폼은 수년 전에 단종되었지만 중고 시장에서 여전히 활발하게 거래되고 있기 때문에 중고 제품은 설치된 옵션, 본드 헤드 상태 및 소프트웨어 버전에서 상당한 차이를 보입니다. 

Besi Esec 2100 FC hS Flip Chip Bonder

Besi Esec 2100 FC hS 플립칩 본더의 주요 사양

매개변수사양
장비 유형칩을 뒤집고 본더를 사용하세요
결합 방식플립칩(대량 리플로우)
배치 정확도8µm @ 3σ (고정밀 모드)
처리량시간당 최대 12,000개 생산 가능 (침지 플럭싱 및 검사 포함)
최소 사이클 시간240ms (딥 플럭싱 포함)
다이 사이즈 범위0.2mm (소형 다이 키트 포함) – 20mm
웨이퍼 크기4" – 12"
프레임 크기6", 8", 12"
본드 포스프로그래밍 가능, 최소 0.2N
플럭싱 시스템슬라이드 트랙 유닛; 금형과 카메라가 독립적으로 움직입니다.
모션 컨셉Phi-Y: 회전과 Y축 이동이 동기화됨
본드 헤드저질량, 고강성, 액체 냉각
프로세스 모니터링자동 플럭스 스탬프 검사, 실시간 접촉 감지
정렬 지원유사 X선 "첫 번째 다이 오른쪽"
공통 핸들러SDH-84fc
일반적인 패키지FCCSP, FCBGA, FC-SIP, FC-MIS, FCOL, CSP-LED