เครื่องฝังไอออนกระแสสูง SEN 10GSD-A-160

การฝังไอออนในปริมาณสูงมีบทบาทสำคัญในการสร้างบริเวณแหล่งกำเนิด/ระบายประจุและการเจือสารในโพลีซิลิคอนในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ เครื่อง SEN 10GSD-A-160 จัดอยู่ในกลุ่มเครื่องฝังไอออนกระแสสูง ซึ่งมีแอปพลิเคชันในกระบวนการผลิตเวเฟอร์ที่ใช้สารเจือปน เช่น โบรอน ฟอสฟอรัส และสารหนู

สำหรับอุปกรณ์ประเภทนี้ ความเสถียรของลำแสงและมุมการฝังสารเจือปนส่งผลโดยตรงต่อการวางตำแหน่งสารเจือปนและความสม่ำเสมอของรูปทรง สถานีปลายแบบหมุนสำหรับการผลิตเป็นชุดช่วยให้สามารถควบคุมทิศทางของเวเฟอร์ระหว่างการฝังสารเจือปน ซึ่งช่วยจัดการผลกระทบจากการเกิดช่องว่าง ขนาดของเวเฟอร์ สภาพลำแสงที่มีอยู่ และการกำหนดค่าสถานีปลายจะเป็นตัวกำหนดว่าเครื่องมือนี้เหมาะสมกับกระบวนการผลิตแบบใด

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังสูง ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์แบบแยกชิ้น และเซ็นเซอร์ เป็นพื้นที่ใช้งานที่มีศักยภาพซึ่งเงื่อนไขการติดตั้งที่ต้องการนั้นตรงกับโครงสร้างของเครื่องจักร ก่อนที่จะนำ SEN 10GSD-A-160 ที่ใช้แล้วเข้าสู่กระบวนการผลิต ควรตรวจสอบตัวเลือกที่ติดตั้งและสภาพการทำงานให้ตรงกับกระบวนการเป้าหมาย

ข้อมูลจำเพาะหลักของ SEN 10GSD-A-160