高劑量離子注入在半導體製造中，對源/漏區形成和多晶矽摻雜起著至關重要的作用。 SEN 10GSD-A-160 屬於高電流離子注入機，可應用於涉及硼、磷和砷等摻雜劑的成熟晶圓製造製程。
對於此類設備，電子束穩定性和注入角度直接影響摻雜劑的放置位置和分佈一致性。批量旋轉終端站可在註入過程中控制晶圓方向，有助於控制通道效應。晶圓尺寸、可用電子束條件和終端站配置決定了該設備如何適應特定的生產流程。
功率半導體裝置、分立元件和感測器是潛在的應用領域，其所需的植入條件與機器配置相符。在將二手 SEN 10GSD-A-160 整合到生產之前，應根據目標流程檢查其已安裝的選項和運作狀況。
SEN 10GSD-A-160 主要規格
| 製造商 | SEN / 住友伊頓 Nova |
|---|---|
| 模型 | 10GSD-A-160 |
| 設備類型 | 高電流離子注入機 |
| 支援的晶圓尺寸 | 根據現有設備清單，尺寸分別為 150 毫米和 200 毫米。 |
| 植入物電流等級 | 高電流 |
| 植入能量範圍 | 必須根據已安裝的高壓和光束線配置進行確認。 |
| 離子源 | 必須核實水源類型、水源頭組件和核准的物種。 |
| 晶圓終端站 | 必須確認已安裝的磁碟、冷卻系統和植入角度配置。 |
| 劑量控制 | 必須檢查已安裝的法拉第線圈、劑量控制器和校準狀態。 |
| 工藝氣體 | 氣體箱、質量流量控制器、安全設備和摻雜劑管線因機器而異。 |
| 控制系統 | 控制器硬體、作業系統和配方資料庫必須確認 |
| 狀態 | 二手半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存、檢驗和配置確認情況而定 |
