Nền tảng mạ điện một tấm wafer Applied Materials Raider® Edge ECD
Nền tảng mạ đơn wafer, 150/200/300mm. Đồng dày, hợp kim từ tính, chất hàn AuSn, lớp lót via vàng, Cu TSV/TGV fi...
Chúng tôi cung cấp các hệ thống mạ điện đã qua sử dụng từ Applied Materials Raider, Novellus Sabre, Semitool và các nền tảng khác — các thiết bị ECD đa buồng để mạ trụ đồng, RDL, lấp đầy TSV và mạ kim loại cho các mối nối. Hệ thống phù hợp với dây chuyền của bạn phụ thuộc vào bốn yếu tố: kim loại mục tiêu và hình dạng chi tiết, thông số kỹ thuật độ đồng nhất yêu cầu, kích thước wafer và khả năng tương thích hóa học của các buồng được lắp đặt. Hầu hết các giao dịch mua ECD đã qua sử dụng gặp trục trặc đều do một trong bốn điểm này — kiểu máy phù hợp, hệ thống được giao đến, nhưng sau đó điều kiện buồng hoặc thiết lập hóa chất lại không hỗ trợ quy trình yêu cầu. Hãy cho chúng tôi biết yêu cầu của bạn và chúng tôi sẽ chọn lọc ra các hệ thống thực sự hoạt động trên dây chuyền của bạn.
Xem xét các nền tảng lắng đọng điện hóa hiện có trong danh mục này. Trang sản phẩm mô tả dòng sản phẩm; báo giá thực tế cần nêu rõ phần cứng kích thước wafer đã lắp đặt, buồng phản ứng, hệ thống cung cấp hóa chất, phần mềm và thiết bị hỗ trợ đi kèm.
Nền tảng mạ đơn wafer, 150/200/300mm. Đồng dày, hợp kim từ tính, chất hàn AuSn, lớp lót via vàng, Cu TSV/TGV fi...
Nokota ECD thực hiện mạ trong bao bì cấp độ wafer — các mối hàn, RDL, TSV. Wafer 150/200/300mm, đồng, thiếc-bạc, niken,...
Chúng tôi đã từng chứng kiến khách hàng đặt mua hệ thống ECD chỉ dựa trên số hiệu sản phẩm, rồi phát hiện ra rằng các buồng được lắp đặt không đáp ứng được thông số kỹ thuật về độ đồng nhất cho hình dạng chi tiết của chúng. Các trụ đồng, các điểm tiếp xúc siêu nhỏ, các đường dẫn RDL, các lỗ xuyên qua bề mặt (TSV) và các cấu trúc MEMS đặt ra những yêu cầu khác nhau về phân bố dòng điện, truyền khối lượng, lấp đầy chi tiết, độ dày lớp mạ và làm sạch sau xử lý.
Hãy cho chúng tôi biết cấu trúc mục tiêu, lớp kim loại, kích thước wafer và giai đoạn sản xuất. Sau đó, chúng tôi có thể thu hẹp phạm vi lựa chọn về loại buồng, quy trình làm ướt sơ bộ, bảo vệ wafer, cung cấp hóa chất và mức độ tự động hóa cần thiết.
Các yêu cầu về chiều cao, độ phẳng và cấu trúc kim loại được kiểm soát cho bao bì lật chip và mật độ cao. Đường kính trụ đồng thường nằm trong khoảng từ 10µm đến 200µm.
Mật độ hoa văn và độ đồng nhất trong phạm vi tấm wafer trở nên rất quan trọng khi có các đặc điểm phân bổ lại lớp mạ. Các chất phụ gia làm phẳng có thể tạo ra bề mặt phẳng trên các kích thước hoa văn khác nhau trên cùng một chip.
Các cấu trúc có tỷ lệ chiều dài/chiều rộng cao đòi hỏi khả năng kiểm soát độ thấm ướt, quản lý chất phụ gia và chiến lược lấp đầy không có lỗ rỗng. Hệ thống mạ ngang có độ đồng nhất cao hơn cho các ứng dụng TSV.
Các quy trình chế tạo vàng, niken, đồng và hợp kim có thể hỗ trợ các cấu trúc điện hoặc cơ khí đặc thù của thiết bị.
Các chuỗi kim loại đa lớp phụ thuộc vào khoảng cách giữa các buồng, khả năng tương thích hóa học và bảo vệ tấm bán dẫn.
Kết quả tìm kiếm và dòng sản phẩm của nhà sản xuất thường phân biệt các công cụ nghiên cứu và phát triển thủ công hoặc nhỏ gọn với các nền tảng sản xuất tự động một tấm wafer và nhiều buồng. Mức độ phù hợp phụ thuộc vào độ hoàn thiện của công thức, khối lượng wafer, quá trình tách kim loại, trình tự quy trình và sự tích hợp trong nhà máy.
Mức độ tự động hóa cao hơn không thay thế việc thẩm định quy trình, nhưng nó cải thiện khả năng kiểm soát việc xử lý, thực hiện công thức, truy xuất nguồn gốc và tính lặp lại khi khối lượng sản xuất tăng lên.
Việc phân vùng cực dương, mật độ dòng điện và điện trở của tấm wafer ảnh hưởng đến quá trình lắng đọng từ tâm đến rìa. Các hệ thống như Raider ECD sử dụng mảng cực dương đa vùng để thay đổi mật độ dòng điện một cách linh hoạt.
Hình dạng tế bào và điều kiện dòng chảy ảnh hưởng đến sự vận chuyển ion, quá trình lấp đầy các chi tiết và độ đồng nhất về độ dày.
Nồng độ kim loại, chất phụ gia, nhiệt độ, quá trình lọc và kiểm soát ô nhiễm ảnh hưởng đến tính lặp lại của dung dịch. Sự tiêu thụ chất phụ gia và sự tích tụ sản phẩm phụ liên tục làm thay đổi dung dịch.
Tính liên tục, điện trở và điều kiện bề mặt có thể ảnh hưởng đến quá trình tạo mầm và phân bố dòng điện. Hiện có các hệ thống mạ trên vật liệu mầm không phải đồng và các lớp mầm mỏng dưới 200A.
Việc loại trừ cạnh, niêm phong và bảo vệ mặt sau phải phù hợp với tấm wafer và trình tự xử lý.
Hệ thống làm sạch tích hợp kiểm soát sự tồn dư hóa chất, cặn bẩn và việc xử lý tấm bán dẫn sau quá trình lắng đọng.
Chúng tôi đã thấy nhiều người mua lựa chọn hệ thống mạ điện phân (ECD) đã qua sử dụng dựa trên tên model, sau đó phát hiện ra cấu hình cực dương hoặc giá đỡ wafer không đáp ứng được thông số kỹ thuật về độ đồng nhất mà sản phẩm của họ yêu cầu. Chất lượng mạ phụ thuộc vào...Buồng xử lý, thiết kế cực dương, giá đỡ wafer, hệ thống cung cấp chất điện phân, phần mềm quản lý hóa chất và công thức. Hoạt động như một hệ thống thống nhất.
Đối với hệ thống mạ điện bán dẫn đã qua sử dụng, hãy yêu cầu bằng chứng cấu hình trước khi cho rằng hệ thống đó có thể thực hiện các thao tác với trụ đồng, lấp đầy TSV, RDL hoặc xếp chồng nhiều lớp kim loại.
Applied Materials Raider Edge, Novellus Sabre và Semitool là các nền tảng mạ điện phân (ECD) có thể cấu hình. Chỉ riêng tên model không thể hiện chính xác khả năng mạ của máy được cung cấp.
Hãy gửi quy trình mục tiêu của bạn trước. Sau đó, chúng ta có thể so sánh hệ thống hiện có với kích thước wafer, kim loại, cấu trúc buồng, trang thiết bị và điều kiện cần thiết.
Kiểm tra cấu hình khả dụngNhững câu trả lời này bao gồm các câu hỏi thường ảnh hưởng đến việc lựa chọn thiết bị. Khuyến nghị cuối cùng vẫn phụ thuộc vào cấu trúc mục tiêu và cấu hình hệ thống thực tế hiện có.
Nó lắng đọng các lớp kim loại được kiểm soát trên các tấm bán dẫn hoặc chất nền liên quan. Các ứng dụng phổ biến bao gồm các trụ đồng, các điểm hàn, các lớp phân phối lại, các miếng đệm tiếp xúc, lấp đầy TSV hoặc TGV, cấu trúc MEMS và các lớp kim loại đặc biệt.
Các công cụ thủ công hoặc nhỏ gọn thường được sử dụng cho nghiên cứu và phát triển, phát triển hóa chất và các công việc sản xuất số lượng nhỏ. Hệ thống tự động bổ sung thêm khả năng xử lý tấm bán dẫn được kiểm soát, công thức, làm ướt sơ bộ, mạ, rửa, sấy khô, truy xuất nguồn gốc và khả năng sản xuất nhiều buồng.
Về mặt lý thuyết thì có thể, nhưng không chỉ dựa vào tên gọi của sản phẩm. Các kim loại khác nhau có thể yêu cầu các buồng, bể chứa, bộ lọc, đường ống, vật liệu tương thích và chiến lược kiểm soát ô nhiễm riêng biệt. Cấu hình lắp đặt phải được kiểm tra.
Bắt đầu bằng việc xác định hình dạng chi tiết, độ dày mục tiêu, kích thước wafer, điều kiện lớp mầm, kim loại, thành phần hóa học, mục tiêu độ đồng nhất và khối lượng sản xuất. Các thông số đầu vào này sẽ quyết định thiết kế ô phù hợp, quy trình, điều khiển dòng điện và lộ trình tự động hóa.
Kiểm tra các buồng, cực dương, giá đỡ wafer, các bộ phận làm kín, robot, bể chứa hóa chất, máy bơm, hệ thống lọc, đường ống, phần mềm, công thức, tiện ích, tình trạng ăn mòn, lịch sử bảo trì và tình trạng khử nhiễm.
Vui lòng cung cấp thông tin về cấu trúc mạ mục tiêu, kim loại hoặc chồng kim loại, kích thước wafer, độ dày mục tiêu, giai đoạn xử lý, mức độ tự động hóa mong muốn, kiểu máy hoặc nhà sản xuất ưu tiên, điều kiện yêu cầu, số lượng và quốc gia đích đến.
Hãy gửi cấu trúc mục tiêu — trụ đồng, RDL, TSV hoặc lớp mạ đặc biệt — cùng với kích thước wafer, lớp kim loại, yêu cầu về độ đồng nhất và điểm đến. Chúng tôi sẽ xác nhận tính khả dụng, cấu hình buồng và khả năng tương thích quy trình trong vòng 4 giờ làm việc.