TRANG CHỦ > Các sản phẩm > Thiết bị sản xuất wafer đầu cuối > Thiết bị cấy ion >

Máy cấy ion dòng điện trung bình Varian E500

Máy cấy ion dòng điện trung bình Varian E500 đã qua sử dụng, dùng cho wafer 150 mm và 200 mm. Cần xác nhận lại biến thể E500 chính xác, dải năng lượng, nguồn và cấu hình trạm cuối.

Varian E500 Medium-Current Ion Implanter HÌNH ẢNH THIẾT BỊ
Đánh giá cấu hình Mẫu mã và các tùy chọn đã cài đặt
Nguồn cung mới/đã qua sử dụng Tùy thuộc vào tình trạng sẵn có của dự án
Giao hàng toàn cầu Đánh giá dựa trên điểm đến
Yêu cầu báo giá kỹ thuật (Technical RFQ) Phù hợp gói hàng và quy trình

Varian E500 là một sản phẩm đáng tin cậy. máy cấy ion dòng điện trung bìnhĐây là một thiết bị mạnh mẽ用于 việc pha tạp chất bán dẫn chính xác, mang lại giá trị vượt trội cho các nhà máy sản xuất chip công nghệ tiên tiến. Được xây dựng với nguồn ion Bernas và bộ phân tích khối lượng độ phân giải cao, thiết bị hỗ trợ nhiều chất pha tạp bao gồm boron, phốt pho và asen, cung cấp khả năng điều chỉnh năng lượng linh hoạt để đáp ứng các yêu cầu về hình thành giếng, điều chỉnh ngưỡng và pha tạp cổng poly.

Với khả năng kiểm soát liều lượng chính xác và độ đồng nhất chùm tia vượt trội, máy cấy này giảm thiểu sự khác biệt giữa các tấm wafer và ô nhiễm hạt trong quá trình cấy. Hệ thống giám sát chùm tia đáng tin cậy thực hiện hiệu chỉnh phản hồi theo thời gian thực, đảm bảo cấu hình pha tạp nhất quán trên các tấm wafer. Được trang bị mâm cặp tĩnh điện và tấm làm mát đã được kiểm chứng, máy kiểm soát hiệu quả sự gia nhiệt của wafer và ngăn ngừa hư hỏng do nhiệt ngay cả trong quá trình sản xuất liên tục với năng suất cao.

Được đánh giá cao trong sản xuất chất bán dẫn công suất, linh kiện rời rạc và MEMS, nền tảng đã được kiểm chứng thực tế này có nguồn phụ tùng dồi dào và chi phí vận hành thấp. Nếu bạn có kế hoạch mở rộng năng lực pha tạp hoặc thay thế các công cụ cấy ghép cũ, Varian E500 là một giải pháp tiết kiệm chi phí, sẵn sàng cho sản xuất với thời gian hoạt động ổn định và dễ dàng tích hợp vào nhà máy.

Varian E500 medium-current ion implanter

Thông số kỹ thuật chính của Varian E500

Nhà sản xuấtCông ty TNHH Thiết bị Bán dẫn Varian
Người mẫuE500
Loại thiết bịMáy cấy ion dòng điện trung bình
Kích thước wafer được hỗ trợ150 mm và 200 mm, theo danh sách thiết bị hiện có.
Cấy ghép dòng điệnDòng điện trung bình
Biến thể máyBiến thể E500 và mức nâng cấp đã cài đặt cần được xác nhận từ bảng thông số kỹ thuật.
Phạm vi năng lượngĐiều này phụ thuộc vào việc máy đó là phiên bản tiêu chuẩn, HP, EHP, EHPi hay phiên bản cấu hình khác.
Nguồn ionCần phải xác minh thiết kế nguồn đã lắp đặt và các loại chất pha tạp được hỗ trợ.
Trạm cuối waferCần xác nhận kích thước wafer, quá trình quét, cấu hình độ nghiêng và xoay.
Kiểm soát liều lượngViệc giám sát chùm tia, hệ thống Faraday và tình trạng hiệu chuẩn cần được kiểm tra.
Nền tảng điều khiểnBộ điều khiển, máy trạm, phiên bản phần mềm và giao diện truyền thông có thể khác nhau tùy thuộc vào hệ thống.
Tình trạngThiết bị bán dẫn đã qua sử dụng
Tính khả dụngTùy thuộc vào tình trạng hàng tồn kho hiện tại, việc kiểm tra và xác nhận cấu hình.

Varian E500 ion source and beamline

78795246-af11-4425-9668-b0f4af6d07ef