Hệ thống quang khắc ASML XT 760F sử dụng quang học chiếu tiên tiến và thiết kế hai giai đoạn để mang lại độ chính xác chồng lớp đáng tin cậy và hiệu suất hình ảnh ổn định cho cả chất nền silicon 200mm và 300mm. Tích hợp các tính năng như tự động lấy nét, hiệu chỉnh hình dạng wafer và các chế độ chiếu sáng linh hoạt, hệ thống đảm bảo tính đồng nhất Kích thước Quan trọng (CD) trên toàn bộ wafer.
Thiết bị này bù trừ hiện tượng cong vênh của tấm bán dẫn và biến dạng mặt nạ quang khắc, nhờ đó giảm thiểu sự dịch chuyển mẫu và các khuyết tật ở cạnh trong quá trình phơi sáng tuần tự. Độ truyền quang cao giúp duy trì năng suất ổn định và cung cấp phạm vi xử lý rộng, biến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sản xuất số lượng lớn.
Các thông số kỹ thuật chính
| Mục | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Loại in thạch bản | DUV Step & Scan |
| Bước sóng | 248 nm KrF |
| Kích thước wafer được hỗ trợ | 200 mm / 300 mm |
| Độ phân giải tối thiểu | 0,13 μm |
| Độ chính xác của lớp phủ | ≤12 nm |
| Thông lượng tối đa | 120 tấm wafer/giờ |
| Chế độ chiếu sáng | Thông thường, hình vành khuyên, lưỡng cực |
| Kiến trúc sân khấu | Giai đoạn wafer kép |
Lưu ý: ASML không công bố bất kỳ bảng dữ liệu gốc chính thức nào cho model XT 760F. Tất cả các thông số được liệt kê đều tham khảo từ các thông số kỹ thuật tiêu chuẩn công nghiệp chính hãng của nền tảng khắc quang KrF dòng XT của ASML dùng cho mục đích thương mại và sản xuất.
