ThinkLaser SigmaDSC ทำการทำเครื่องหมายถาวรบนแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์โดยอัตโนมัติ ชุดประกอบหลักประกอบด้วย Dual-Spot Optics™ แหล่งกำเนิดเลเซอร์โซลิดสเตทแบบไดโอด และระบบควบคุมความลึกแบบวงปิด เพื่อสร้างเครื่องหมายจุดเมทริกซ์ถาวร เครื่องหมายเหล่านี้ยังคงอ่านได้ชัดเจนแม้ผ่านกระบวนการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ การกัด และการขัดเงาหลายครั้ง
ระบบออปติคอลแบบบูรณาการรองรับการปรับจุดเลเซอร์ด้วยซอฟต์แวร์ระหว่าง 50 μm ถึง 110 μm การเปลี่ยนแปลงรูปทรงเรขาคณิตไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนฮาร์ดแวร์ระหว่างการผลิต เอาต์พุตเลเซอร์แบบพัลส์ช่วยลดความผันแปรของพัลส์ให้น้อยที่สุด ทำให้ได้ความสม่ำเสมอของความกลมและอัตราส่วนของจุดเลเซอร์ในทุกชุดการผลิต สามารถตั้งโปรแกรมความลึกของการกดได้ เซ็นเซอร์แบบวงปิดจะบันทึกค่าเลเซอร์แบบเรียลไทม์และส่งข้อมูลไปยังระบบบันทึก SPC สามารถติดตามความสม่ำเสมอของขนาดเครื่องหมายได้โดยไม่ต้องสุ่มตัวอย่างด้วยตนเองซ้ำๆ
ประสิทธิภาพการจัดการพื้นผิวอัตโนมัติและการจัดตำแหน่งห้องปลอดเชื้อ
กลไกการลำเลียงเวเฟอร์จะโหลดและขนถ่ายแผ่นเวเฟอร์ขนาด 100 มม. ถึง 300 มม. ภายในห้องปลอดฝุ่น พิกัดการทำเครื่องหมายจะสอดคล้องกับข้อกำหนดการจัดวางเลย์เอาต์ของ SEMI การแกะสลักแบบดอทเมทริกซ์สร้างตัวระบุที่มีความคมชัดสูงและลึก ระบบวิชั่นและ OCR จะอ่านเครื่องหมายเหล่านี้ในทุกขั้นตอนการผลิต การควบคุมกระบวนการที่ปรับได้จะปรับสมดุลความลึกของรอยบุ๋ม ความเร็วของเส้น และปริมาณอนุภาค เพื่อการตรวจสอบย้อนกลับของเวเฟอร์ซิลิคอนอย่างต่อเนื่อง
เกณฑ์มาตรฐานด้านกระบวนการและการปฏิบัติงาน
ตาราง: ข้อมูลจำเพาะกระบวนการหลักของระบบการทำเครื่องหมายแข็งบนแผ่นเวเฟอร์ ThinkLaser SigmaDSC
| พารามิเตอร์ | ข้อกำหนด |
|---|---|
| ขนาดเวเฟอร์ที่รองรับ | 100 มม. / 200 มม. / 300 มม. |
| ระยะจุดทำเครื่องหมายด้วยเลเซอร์ | 50 μm – 110 μm |
| รูปแบบการทำเครื่องหมาย | เครื่องหมายเยื้องแบบดอทเมทริกซ์ |
| การควบคุมความลึก | การตรวจจับแบบวงปิดแบบเรียลไทม์ |
| การปฏิบัติตามมาตรฐาน | รูปแบบเครื่องหมาย SEMI ที่เข้ากันได้ |
| การบันทึกข้อมูล | บันทึกการตรวจสอบย้อนกลับที่สอดคล้องกับ SPC |
ตารางเปรียบเทียบนี้แสดงตัวชี้วัดกระบวนการหลัก รายละเอียดพารามิเตอร์ทั้งหมดสามารถดูได้จากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
