DISCO DFL7341 全自動雷射切割機採用隱蔽切割技術，可處理 8 英吋（Φ200 毫米）晶圓單晶切割。它可實現從晶圓裝載、預對準、雷射內部調整到卸載的全自動盒式工作流程，最大限度地減少晶圓加工線上的人工幹預。
與傳統的刀片切割或雷射燒蝕切割不同，該設備在基板內部創建改性層，而不是切割表面。這種乾式製程幾乎不會產生碎屑，並且省去了後續清洗步驟，非常適合對濕度敏感的微機電系統（MEMS）、矽麥克風以及易受顆粒污染的裝置。它能夠對藍寶石、鉭酸鋰、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等脆性材料進行低崩邊分離。
內建的高度感測和晶圓輪廓辨識功能可補償薄晶圓的翹曲，從而在不平整的基板上保持雷射聚焦的一致性。窄切縫能力可提高單片晶圓的晶片數量，進而提升LED基板和化合物半導體生產的材料利用率。該平台支援SDBG和SDTT製程配方，可靈活整合到不同的晶片切割流程中。
我們供應翻新的DISCO DFL7341雷射切割機，並提供全面的系統檢測、功能測試和延長的售後維護服務。請聯絡我們查詢機器庫存、製程驗證和備件支援情況。
規格概覽
| 物品 | 規格 |
|---|---|
| 加工方法 | 隱形切割™（雷射隱形切割） |
| 最大工件尺寸 | Φ200毫米（8吋） |
| 適用材料 | 純矽晶片（切割面無氧化物/金屬覆蓋層） |
| 晶圓厚度範圍 | 0.1–0.7毫米 |
| 最小模具尺寸 | 0.5毫米或以上 |
| 雷射波長 | 約1300奈米 |
| X軸直線度精度 | ≤0.002毫米/210毫米 |
| Y軸定位精度 | ≤0.003毫米/210毫米 |
| Z軸重複性 | 0.001毫米 |
| X軸切割速度 | 1–1000毫米/秒 |
| 系統尺寸 | 950×1732×1800毫米 |
| 系統重量 | 約1800公斤 |
