Besi Esec 2100 hS 高速環氧樹脂固晶機可從晶圓上拾取晶片，將環氧樹脂塗覆到引線框架或基板上，並以 20 µm @ 3σ 的標準放置精度或 15 µm @ 3σ 的高精度模式進行晶片定位。該設備可選配安裝在 Y 軸上的液冷系統，產能高達 18,500 UPH，最小循環時間為 120 ms。作為 2100 GENS 系列的首款產品，該平台採用輕巧而堅固的拾放結構，並結合先進的軌跡控制技術，可在高速運行期間縮短循環時間並保持精度。其標誌性的 Phi-Y 架構（2100 平台通用的同步旋轉和線性運動系統）可在製程視窗明確的主流半導體封裝的長時間生產中維持產能和良率。
2100 hS 可處理 0.25 毫米（使用小型晶片套件）至 20 毫米的晶片尺寸，支援 4 英吋至 12 英吋晶圓，並可在 8 英吋或 12 英吋晶圓架上進行焊接。引線框架尺寸範圍為長度 90 至 300 毫米，寬度為 23 至 100 毫米。鍵結力可編程，範圍為 0.2 至 20 牛頓。典型應用包括 QFN、TSOP、QFP、BGA、CSP-BGA、SiP-BGA、FBGA 和 LGA 等主流封裝系列——這些封裝製程穩定，生產連續性比更高的貼片精準度更為重要。
2100 hS 是 2100 系列中的上一代平台。 Besi 隨後推出了 2100 hS ix，該產品同樣面向高速環氧樹脂晶片貼裝領域，但精度更高（精度模式下可達 12 µm，上視模式下可達 10 µm），晶片尺寸範圍也更窄（0.15 至 8 mm）。 hS 本身支援最大 20 mm 的晶片尺寸，因此適用於那些對 iX 代產品精度要求不高的應用。
由於 2100 hS 平台技術成熟，通用零件和服務管道通常比較容易獲取，但考慮到平台的年代，某些專用組件可能需要翻新或另尋其他供應商。以下章節首先介紹平台的技術特性，然後再討論二手設備的配置和採購注意事項。
主要規格
| 範圍 | 規格 |
|---|---|
| 設備類型 | 高速環氧樹脂晶片黏接機 |
| 黏合方法 | 環氧樹脂 |
| 週期 | 120毫秒（可選液冷） |
| 生產力 | 最高可達每小時 18,500 單位流量。 |
| 放置精度 | 標準精度為 20 µm @ 3σ；高精度模式下精度為 15 µm @ 3σ |
| 模具尺寸範圍 | 0.25 毫米（含小型模具套件）– 20 毫米 |
| 晶圓尺寸 | 4吋 – 12吋（在8吋或12吋晶圓框架上） |
| 引線框架尺寸 | 長度 90 – 300 毫米；寬度 23 – 100 毫米 |
| 鍵合力 | 0.2 – 20 牛頓 |
| 佔地面積（寬×深×高） | 1,785 × 1,448 × 1,400 毫米 |
| 重量 | 約1400公斤 |
| 電源 | 208 – 230 伏特交流電，47 – 63 赫茲 |
| 功率等級 | 800 – 1,100 伏安 |
| 壓縮空氣 | 最低 5.2 巴 |
| 空的 | 最低 -0.75 巴 |
| 氮氣吹氣 | 1.8 – 6 巴 |
2100 hS 是一款高通量環氧樹脂固晶機，適用於主流封裝系列，包括 QFN、TSOP、QFP、BGA、CSP-BGA、SiP-BGA、FBGA 和 LGA。這些封裝的製程窗口已確定，生產挑戰在於如何維持高通量和良率。其標準精度為 20 µm，最高可達 18,500 UPH，精度為 3σ；高精度模式下精度可達 15 µm。該平台是 2100 hS ix 的上一代產品，這對買家來說很重要：hS 支援最大 20 mm 的晶片尺寸，比 iX 系列更寬，但精度視窗不如 iX 系列更窄。對於二手設備評估，關鍵檢查點包括液冷選項、精確度模式配置、點膠模組數量和視覺系統代數。如果您的製程符合 hS 的精度和晶片尺寸範圍，那麼該平台仍然是一款經濟高效的生產工具，並且擁有便利的零件供應和售後服務管道。
