BESI Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC 混合鍵結平台可實現晶片對晶圓和晶片對晶片的堆疊。直接介質熔合鍵結在室溫下進行，隨後進行整體退火以形成電氣連接。此製程可實現具有亞微米焊盤的細間距銅互連。鍵結從介質界面開始，熱處理進一步增強連接強度。
該平台在最惡劣的拐角條件下可實現 100 nm @ 3σ 的晶片到晶圓對準精度。可選硬體可將對準效能提升至 200 nm。在乾式循環模式下，最大吞吐量可達 2,000 CPH。其工藝腔室保持 ISO 3 級潔淨度。顆粒污染會導致鍵結界面出現空隙，因此潔淨環境對於獲得一致的混合鍵結結果至關重要。
晶片處理範圍涵蓋 25 µm 至 800 µm 厚度，晶片尺寸從 0.5 mm × 0.5 mm 到 33 mm × 28 mm。此平台支援 12 吋（300 mm）晶圓和 340 mm 扇出型面板托架。密封的潔淨腔體包圍著鍵合區域，可在拾取放置和鍵合過程中穩定製程環境。
超強版 CHAMEO 與標準版 CHAMEO 的差異主要體現在三個方面：更高的對準精度（局部精度為 100 奈米，而標準版 CHAMEO 為 3 微米）、透過動態視覺校正實現更優異的翹曲控制，以及更高的批量生產效率。該平台專為異構整合和晶片組裝而設計，能夠將來自不同來源的多種晶片以奈米級的放置精度堆疊在一起。
主要規格
| 範圍 | 規格 |
|---|---|
| 設備類型 | 混合鍵結平台（倒裝晶片/晶片到晶圓） |
| 對齊精確度 | 100 nm @ 3σ 最爛角 GOG |
| 晶片與晶圓對準 | 最高可達 200 奈米（可選配置） |
| 吞吐量 | 最高可達 2,000 CPH（乾循環） |
| 模具尺寸範圍 | 0.5 毫米 × 0.5 毫米 – 33 毫米 × 28 毫米 |
| 模具厚度 | 25微米 – 800微米 |
| 晶圓尺寸 | 300 毫米（12 吋） |
| FO-WLP載體 | 300 毫米 / 340 毫米 |
| 清潔 | 工作區域的 ISO 3 級 |
| 黏合方法 | 室溫下介電材料的直接熔融鍵結，隨後進行批量退火 |
| 互連間距 | 低至 1 微米 |
| 準確性自檢 | 單 BMC 套件 |
| 無淨室環境 | ISO 5級（設施等級） |
配置和採購說明
Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC 是一款可設定平台，同一型號的兩台設備可能具備不同的對準精度等級、視覺系統配置和晶圓處理模組。如果您正在評估二手設備，以下因素將決定它是否符合您的製程要求：
對準精度等級。請確認設備出廠時配備的是 100 nm @ 3σ 配置還是 200 nm 晶片到晶圓的選項。精度等級取決於硬體和校準配置，而非現場升級。
視覺系統版本。請確認視覺系統包含動態翹曲校正模組。這是超高端 CHAMEO 型號與低端型號在生產精度方面的主要區別。
晶圓和載具處理。確認已安裝的晶圓台和載具轉接器與您的晶圓尺寸（300 毫米）和扇出型載具格式（300 毫米/340 毫米）相符。
清潔腔室配置。確認 ISO 3 級工作區域功能正常，且腔室密封件維護良好。如果密封件或過濾組件磨損，清潔性能會下降。
BMC自檢套件。請確認是否包含單一BMC套件，因為這會影響人工精確度驗證的頻率和整體計量工作。
噴嘴和工具組件。請檢查包含哪些模具拾取工具。工具取決於模具尺寸——用於 0.5 毫米模具的組件與用於 33 毫米模具的組件不可互換。
軟體和配方相容性。請確認已安裝的軟體版本支援您的黏合配方，並且黏合程式庫可存取。
服務歷史記錄。請索取視覺系統、黏合臂和無塵室過濾系統的維護記錄。對於這種精度等級的平台而言，校準歷史記錄是預測其剩餘使用壽命的重要指標。
