PVA TePla / Technics GIGAbatch 360M menggunakan teknologi plasma gelombang mikro 2.45 GHz tanpa elektrod untuk menyingkirkan sisa fotoresis dan polimer daripada wafer semikonduktor 150 mm dan 200 mm. Proses ini berkaitan dengan pembuatan semikonduktor kuasa dan peranti diskret, yang mana permukaan wafer yang bersih diperlukan sebelum langkah fabrikasi berikutnya.
Tidak seperti sistem plasma berasaskan elektrod, penjanaan plasma gelombang mikro mengelakkan sentuhan elektrod secara langsung dengan persekitaran proses. Aliran gas dan tekanan ruang yang boleh laras membolehkan keadaan proses disesuaikan dengan keperluan penyingkiran sisa dan rawatan permukaan yang berbeza. Pemprosesan kelompok juga membolehkan berbilang wafer dirawat dalam satu larian.
Apabila membeli GIGAbatch 360M terpakai, periksa konfigurasi ruang, sistem pengendalian wafer, fungsi kawalan proses dan status operasi terhadap keperluan barisan pengeluaran yang dimaksudkan.
Spesifikasi Utama PVA TePla GIGAbatch 360M
| Pengilang | PVA TePla / Teknik |
|---|---|
| Model | GIGAbatch 360M |
| Jenis Peralatan | Sistem Pembersihan Asher dan Wafer Kelompok Plasma Ketuhar Gelombang Mikro |
| Frekuensi Plasma | 2.45 GHz |
| Kuasa Ketuhar Gelombang Mikro | 0–1,000 W |
| Bahan Kebuk Vakum | Kuarza |
| Diameter Ruang | 245 mm |
| Kedalaman Ruang | 395 mm |
| Isipadu Ruang | 18 liter |
| Kapasiti Wafer | Sehingga 50 wafer dengan diameter 150 mm, bergantung pada pembawa wafer yang dipasang |
| Kawalan Gas Proses | Dua saluran gas terkawal MFC dalam konfigurasi platform asas |
| Pemantauan Proses | Pemantauan suhu wafer dan pengesanan titik akhir dalam konfigurasi platform asas |
| Sambungan Elektrik | 230 V, 15 A, 50/60 Hz |
| Dimensi Anggaran | 795 × 1,540 × 710 mm |
| Berat Anggaran | 190 kg |
| Tahun Peralatan | 2013, mengikut senarai peralatan yang ada |
| Keadaan | Peralatan semikonduktor terpakai |
| Ketersediaan | Tertakluk kepada stok semasa, pemeriksaan dan pengesahan konfigurasi |
