Sistem litografi ASML XT 760F menggunakan optik unjuran canggih dan reka bentuk dwi-peringkat untuk memberikan ketepatan tindanan yang andal dan prestasi pengimejan yang stabil untuk substrat silikon 200mm dan 300mm. Mengintegrasikan ciri-ciri seperti autofokus, pembetulan bentuk wafer dan mod pencahayaan fleksibel, sistem ini memastikan keseragaman Dimensi Kritikal (CD) merentasi keseluruhan wafer.
Peralatan ini mengimbangi lengkungan wafer dan herotan retikel, sekali gus meminimumkan anjakan corak dan kecacatan tepi semasa proses pendedahan berjujukan. Penghantaran optiknya yang tinggi membantu mengekalkan produktiviti yang konsisten dan menyediakan tempoh proses yang luas, menjadikannya pilihan ideal untuk pembuatan volum tinggi.
Parameter Teknikal Utama
| Barang | Spesifikasi |
|---|---|
| Jenis Litografi | Langkah & Imbasan DUV |
| Panjang gelombang | KrF 248 nm |
| Saiz Wafer yang Disokong | 200 mm / 300 mm |
| Resolusi Minimum | 0.13 µm |
| Ketepatan Lapisan | ≤12 nm |
| Daya pemprosesan maksimum | 120 wafer/jam |
| Mod Pencahayaan | Konvensional, Anular, Dipol |
| Senibina Pentas | Peringkat wafer berganda |
Nota: Tiada helaian data asal rasmi dikeluarkan secara terbuka oleh ASML untuk model XT 760F. Semua parameter yang disenaraikan merujuk kepada spesifikasi standard perindustrian tulen bagi platform litografi KrF siri XT ASML untuk rujukan komersial dan pengeluaran.
