ASML TWINSCAN XT:1250i membawa litografi rendaman ArF 193 nm ke dalam pembangunan proses awal untuk pencorakan sub-65 nm. Dengan memperkenalkan air antara kanta unjuran dan wafer, sistem ini meningkatkan apertur berangka berkesan melangkaui had pendedahan ArF kering, membolehkan pengimejan corak yang lebih halus.
Seni bina dwi-peringkatnya memisahkan pendedahan wafer daripada tugas penjajaran dan metrologi, membolehkan pengukuran pada satu peringkat diteruskan sementara peringkat yang lain mengendalikan pendedahan. Aliran kerja selari ini membantu mengekalkan produktiviti pengimbas sambil mengawal fokus dan tindanan semasa pemprosesan wafer berulang.
XT:1250i memainkan peranan dalam penilaian litografi rendaman awal untuk aplikasi logik dan memori. Keupayaan pengimejan sebenar bergantung pada konfigurasi optik, tetapan pencahayaan, tindanan rintangan dan keadaan proses.
