การจัดเรียงที่แม่นยำระดับต่ำกว่าไมครอนเป็นตัวกำหนดประสิทธิภาพของชุดประกอบชิปโฟโตนิกและชิปความหนาแน่นสูง เดอะ แอสเอ็มพีที อามิครา นาโน มอบการเชื่อมต่อฟลิปชิปที่มีความแม่นยำสูงเป็นพิเศษ ด้วยความแม่นยำในการวางตำแหน่งที่ต่ำถึง ±0.2 µm ที่ 3σ.
เครื่องนี้สร้างขึ้นบนฐานหินแกรนิตที่แยกการสั่นสะเทือน ผสานรวมการจัดตำแหน่งทางแสงความละเอียดสูงและการแก้ไขการชดเชยแบบไดนามิก รองรับโหมดการเชื่อมต่อหลายแบบ รวมถึงการเชื่อมต่อแบบยูเทคติก การบัดกรีด้วยเลเซอร์ การจ่ายอีพ็อกซี และการบ่มด้วยรังสียูวีในสถานที่ ห้องคลีนรูม HEPA และเครื่องสร้างไอออนภายในช่วยรักษาสภาพแวดล้อมที่เสถียรสำหรับชิ้นส่วนทางแสงและซิลิคอนโฟโตนิกที่บอบบาง
การออกแบบแบบโมดูลาร์รองรับการประมวลผลพื้นผิวขนาด 300 มม. และการตรวจสอบหลังการเชื่อมต่อ ช่วยรักษาความสม่ำเสมอในการจัดแนวเพื่อลดข้อบกพร่องในการประกอบสำหรับโครงการ CPO, ซิลิคอนโฟโตนิกส์ และการเชื่อมต่อโดยตรง
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค (การกำหนดค่าทั่วไป)
ค่าประสิทธิภาพจะแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับโมดูลกระบวนการ รูปทรงของแม่พิมพ์ และการกำหนดค่าของวัสดุรองรับ
| พารามิเตอร์ | คำอธิบายทั่วไป |
|---|---|
| ประเภทระบบ | แพลตฟอร์มสำหรับการประกอบชิปพลิกและยึดชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความแม่นยำสูงเป็นพิเศษ |
| ความแม่นยำในการวางตำแหน่ง | ความคลาดเคลื่อน ±0.5 μm ถึง ±2 μm ที่ระดับ 3σ (ขึ้นอยู่กับกระบวนการและรูปแบบการกำหนดค่า) |
| กระบวนการที่ได้รับการสนับสนุน | การเชื่อมด้วยความร้อนอัด / การเชื่อมแบบหลอมเหลว / การเชื่อมแบบยูเทคติก |
| รองรับขนาดเวเฟอร์ | ขนาดสูงสุด 8 นิ้ว หรือ 12 นิ้ว (ขึ้นอยู่กับระบบ) |
| ความเข้ากันได้ของวัสดุรองรับ | แผ่นรองเซรามิก, แผ่นเชื่อมต่อซิลิคอน, แผ่นรองพื้นแบบลามิเนต |
| อัตราการไหลผ่าน | ออกแบบมาเพื่อการผลิตที่มีความแม่นยำสูงและปริมาณน้อยถึงปานกลาง |
