Besi Esec 2100 hS 高速エポキシダイボンダーは、ウェハからダイをピックアップし、リードフレームまたは基板にエポキシを塗布し、標準配置精度 20 µm @ 3σ または高精度モード 15 µm @ 3σ でチップを配置します。オプションの液体冷却システムを Y 軸に取り付けると、最大 18,500 UPH のスループットと最小 120 ms のサイクルタイムを実現します。2100 GENS シリーズの最初のモデルであるこのプラットフォームは、軽量でありながら剛性の高いピックアンドプレース構造と高度な軌道制御技術を組み合わせることで、サイクルタイムを短縮し、高速動作中の精度を維持します。2100 プラットフォームに共通する同期回転および直線運動システムである特徴的な Phi-Y アーキテクチャにより、プロセスウィンドウが明確に定義された主流の半導体パッケージの長時間の生産でもスループットと歩留まりが維持されます。
2100 hSは、0.25 mm（小型ダイキット使用時）から20 mmまでのダイサイズに対応し、8インチまたは12インチのウェハフレーム上で4インチから12インチのウェハに対応します。リードフレームの寸法は、長さ90～300 mm、幅23～100 mmです。ボンディング力は0.2～20 Nまでプログラム可能です。代表的なアプリケーションには、QFN、TSOP、QFP、BGA、CSP-BGA、SiP-BGA、FBGA、LGAなど、プロセスが安定しており、より厳密な配置精度よりも生産の継続性が重要な主流パッケージファミリーが含まれます。
2100 hSは、2100シリーズの旧世代プラットフォームです。Besiはその後、2100 hS ixを発表しました。これは、同じ高速エポキシダイアタッチスペースをターゲットとしていますが、精度オプションがより厳密になり（精度モードで12 µmまで、上方視視機能使用時で10 µmまで）、ダイサイズ範囲も狭くなっています（0.15～8 mm）。hS自体は最大20 mmのダイサイズに対応しており、iX世代のような厳密な位置決めを必要としない用途に適しています。
2100 hSは成熟したプラットフォームであるため、一般的な部品やサービスチャネルは概ね利用可能ですが、プラットフォームの世代によっては、一部の特殊部品は再生または代替調達が必要となる場合があります。以下のセクションでは、まずプラットフォームの技術的能力について説明し、次に中古ユニットの構成と調達に関する考慮事項について説明します。
主な仕様
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| 機器の種類 | 高速エポキシダイボンダー |
| 接着方法 | エポキシ |
| サイクルタイム | 120ms（液冷オプション使用時） |
| 生産性 | 最大18,500 UPH |
| 配置精度 | 標準値：20 µm @ 3σ、高精度モード：15 µm @ 3σ |
| ダイサイズ範囲 | 0.25 mm (小型ダイキット使用時) – 20 mm |
| ウェハーサイズ | 4インチ～12インチ（8インチまたは12インチのウェハーフレーム上） |
| リードフレームの寸法 | 長さ90～300mm、幅23～100mm |
| ボンドフォース | 0.2～20N |
| 設置面積（幅×奥行×高さ） | 1,785 × 1,448 × 1,400 mm |
| 重さ | 約1,400kg |
| 電源 | 208～230VAC、47～63Hz |
| 電力定格 | 800～1,100VA |
| 圧縮空気 | 最低圧力5.2バール |
| 空の | 最低 -0.75 bar |
| 窒素ブロー | 1.8～6バール |
2100 hSは、プロセスウィンドウが確立されており、生産上の課題が持続的なスループットと歩留まりである、QFN、TSOP、QFP、BGA、CSP-BGA、SiP-BGA、FBGA、LGAといった主流パッケージファミリー向けの高スループットエポキシダイボンダーです。標準精度20 µm @ 3σで最大18,500 UPHの速度で動作し、高精度モードでは15 µmの精度も利用可能です。このプラットフォームは2100 hS ixの旧世代であり、購入者にとって重要な点です。hSはiX世代よりも広い最大20 mmのダイサイズをサポートしていますが、より狭い精度ウィンドウは提供していません。中古機器の評価では、液冷オプション、精度モード構成、ディスペンシングモジュール数、ビジョンシステムの世代が重要なチェック項目となります。プロセスがhSの精度とダイサイズウィンドウに適合する場合、このプラットフォームは部品とサービスチャネルが容易に入手できるため、コスト効率の高い生産ツールとして活用できます。
