パワーデバイスメーカーがウェハエッジの制御された除去を必要とする場合、PVA TePla / Technics 660は専用の マイクロ波プラズマエッチング装置 エッジ分離処理向け。2.45GHzの電極フリーマイクロ波プラズマにより、ウェハ縁に沿った表面漏洩経路を除去し、シリコンパワーチップの耐圧向上に不可欠な工程を実現します。
高精度ガス質量流量コントローラーと低圧真空環境により、高度に調整可能な エッジエッチング深さ回転式ウェーハステージにより、ウェーハの全周にわたって均一な除去が保証され、中央のアクティブなデバイス領域への損傷を最小限に抑えることができます。
多目的エッチングチャンバーとは異なり、このシステムはエッジ分離作業専用に設計されています。堅牢なアルミニウム製チャンバー設計により、洗浄や部品交換が容易になり、成熟したパワー半導体生産ラインにとって費用対効果の高い二次プロセスツールとなります。
PVA TePla Technics 660 主な仕様
| メーカー | PVA TePla / テクニクス |
|---|---|
| モデル | 660 |
| 機器の種類 | 低圧マイクロ波プラズマエッチングシステム |
| 構成済みプロセス | 太陽電池端部分離エッチング |
| 機器の年式 | 2008年、利用可能な機器リストによると |
| 記録された営業時間 | 利用可能な機器リストによると、16時間 |
| プラズマ周波数 | 2.45GHz |
| マイクロ波電力 | 0～1,000W |
| プロセスチャンバー材料 | アルミニウム |
| チャンバー容積 | 64リットル |
| チャンバー内部寸法 | 400 × 400 × 400 mm |
| 設置済みプロセスガス入力 | 機器リストによると、MFC制御のガス入力が3つある。 |
| ステージ | 機器リストによると、直径350mmのステージオプションがあります。 |
| 真空接続 | DN 63 ISO K |
| 基本圧力 | 約2×10-2 ムバール |
| プロセス圧力 | 約0.2～2ミリバール |
| 避難時間 | 約1分 |
| 真空ポンプ付属 | 機器リストによると、荏原製作所製のオイルフリードライポンプ |
| 電源 | 230V、単相、16A、50/60Hz |
| おおよその寸法 | 1,050 × 1,720 × 770 mm |
| おおよその重量 | 真空ポンプを除く重量は180kgです。 |
| 状態 | 中古半導体製造装置 |
| 可用性 | 現在の在庫状況、検査および構成確認を条件とします。 |
