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二手PVA TePla / Technics 660邊緣隔離等離子蝕刻機

二手 2008 年 PVA TePla / Technics 660 微波等離子體系統,配置用於太陽能電池邊緣隔離蝕刻,配​​有 350 毫米平台和 EBARA 乾式泵。

Used PVA TePla / Technics 660 Edge Isolation Plasma Etcher 設備圖片
配置審查 型號和安裝選項
全新/二手供應 視項目情況而定
全球配送 基於目的地的評估
技術詢價 包裝和流程匹配

當功率元件製造商需要精確控制晶圓邊緣移除時,PVA TePla / Technics 660 可用作專用設備。 微波等離子蝕刻機 用於邊緣隔離處理。其 2.45GHz 無電極微波等離子體可消除晶圓邊緣的表面洩漏路徑,這是提高矽功率晶片擊穿電壓的關鍵步驟。

精密氣體質量流量控制器和低壓真空環境可實現高度可調性 邊緣蝕刻深度旋轉晶圓台可確保晶圓週邊均勻去除晶圓,同時將對中心元件活性區域的傷害降至最低。

與多用途蝕刻腔不同,此系統專為邊緣隔離任務而設計。其堅固的鋁製腔體設計簡化了清潔和零件更換,使其成為成熟功率半導體生產線中經濟高效的輔助製程工具。

PVA TePla Technics 660 edge isolation plasma etcher

PVA TePla Technics 660 主要規格

製造商PVA TePla / Technics
模型660
設備類型低壓微波等離子體蝕刻系統
配置流程太陽能電池邊緣隔離蝕刻
設備年份根據現有設備清單,該年份為2008年。
記錄營業時間根據現有設備清單,需要16小時。
電漿頻率2.45 GHz
微波功率0–1,000 瓦
工藝腔室材料鋁
腔室容積64公升
腔室內部尺寸400 × 400 × 400 毫米
已安裝工藝氣體輸入根據設備清單,有三個由MFC控制的氣體輸入口。
階段根據設備清單,可選配直徑為 350 毫米的平台。
真空連接DN 63 ISO K
基準壓力約 2 × 10-2 毫巴
工藝壓力約 0.2–2 毫巴
疏散時間大約1分鐘
包含真空幫浦根據設備清單,EBARA 無油乾式泵
電力供應230伏,單相,16安,50/60赫茲
近似尺寸1050 × 1720 × 770 毫米
大約重量180公斤,不含真空泵
狀態二手半導體設備
可用性視當前庫存、檢驗和配置確認情況而定

PVA TePla 660 microwave plasma chamber and 350 mm stage

PVA TePla Technics 660 installed process configuration