ASML TWINSCAN XT:1250i 將 193 nm ArF 浸沒式微影技術引入到 65 nm 以下圖形化的早期製程開發中。透過在投影透鏡和晶圓之間引入水，該系統將有效數值孔徑提升到乾式 ArF 曝光的極限以上，從而實現更精細的圖形成像。
其雙級架構將晶圓曝光與對準和計量任務分離，使得一個階段進行測量的同時，另一個階段負責曝光。這種平行工作流程有助於在重複晶圓加工過程中保持掃描器的生產效率，同時控制對焦和套刻精度。
XT:1250i 在早期用於邏輯和記憶體應用的浸沒式微影評估中發揮了作用。其實際成像能力取決於光學配置、照明設定、光阻堆疊和製程條件。
