佳能 FPA-3000i4 i 線步進光刻機採用 365 nm 曝光波長，支援 6 吋和 8 吋晶圓的光刻製程（視安裝配置而定）。其應用領域包括功率半導體、分立元件、MEMS 以及其他需要採用成熟的 i 線光刻技術來滿足圖形化要求的製程。
投影光學系統具有0.63的數值孔徑、1:5的縮減比和22 × 22 mm的曝光區域。套刻對準支援多層圖案化，而可實現的解析度和吞吐量取決於製程條件、光阻系統和晶圓配置。
對於正在評估二手佳能 FPA-3000i4 的晶圓廠來說，關鍵考慮因素包括載物台精度、對準性能、光學系統狀況、維護記錄以及與現有塗佈顯影設備的兼容性。購買前應確認該特定機器的備件供應和技術支援情況。
佳能 FPA-3000i4 技術規格
| 製造商 | 佳能 |
|---|---|
| 模型 | FPA-3000i4 |
| 設備類型 | i線光刻步進機 |
| 曝光波長 | 365奈米i線 |
| 解決 | 0.35微米 |
| 投影縮減率 | 5:1 |
| 晶圓尺寸 | 8吋SEMI晶圓，取向平整 |
| 晶圓裝載機 | 6型L |
| 十字線尺寸 | 6吋 |
| 十字線更換器 | 佳能標準型 |
| 腔室類型 | CD-80 |
| 狀態 | 二手半導體設備 |
| 可用性 | 視當前庫存和檢驗情況而定 |
